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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--功率电源中IGBT失效机理及其检测方法的研究
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功率电源中IGBT失效机理及其检测方法的研究
 
     论文目录
 
摘要第1-4页
Abstract第4-7页
1 绪论第7-9页
   ·课题的提出和研究意义第7页
   ·IGBT失效原因及检测方法研究现状第7-8页
   ·本文的主要研究工作第8-9页
2 IGBT器件结构和工作原理第9-18页
   ·IGBT的演变过程第9页
   ·IGBT的结构第9-11页
   ·IGBT的工作原理第11-12页
   ·IGBT的基本特性第12-15页
     ·静态特性第13页
     ·IGBT栅极关断特性第13-15页
   ·IGBT的安全工作区第15-16页
     ·正偏安全工作区(FBSOA)第15页
     ·反偏安全工作区(RBSOA)第15-16页
     ·短路安全工作区(SCSOA)第16页
   ·频率特性第16-18页
3 IGBT工作特性的理论分析第18-23页
   ·IGBT稳态特性的分析第18-21页
   ·瞬态特性的分析第21-23页
4 IGBT失效的主要影响因素第23-35页
   ·硅参数温度模型第23-25页
     ·热导率第23页
     ·禁带宽度第23页
     ·本征载流子浓度第23-24页
     ·载流子寿命第24页
     ·载流子迁移率第24-25页
     ·双极扩散系数第25页
   ·硅参数的仿真第25-27页
   ·擎住效应第27-29页
     ·影响静态擎住效应的因素第27-28页
     ·影响动态擎住效应的因素第28-29页
   ·IGBT的失效因素第29-35页
     ·通态压降第29-30页
     ·擎住电流第30-31页
     ·开关速度第31-32页
     ·漏电流第32-33页
     ·阈值电压第33-35页
5 IGBT失效机理的分析第35-45页
   ·过电压失效第35-36页
     ·栅极过压第35页
     ·集电极-发射极过电压第35页
     ·杂散电感过电压第35-36页
   ·静电损伤第36页
   ·过热损伤第36页
   ·过电流第36-39页
     ·擎住效应第36-37页
     ·长时间过流运行第37页
     ·短路第37-39页
   ·IGBT动态仿真模型的设计第39-45页
     ·功率MOSFET部分第39-40页
     ·BJT部分第40-41页
     ·仿真结果及失效机理分析第41-45页
6 实验系统设计和实验结果第45-57页
   ·参数测试方法的介绍第46-48页
     ·栅极—发射极阈值电压的测试第46页
     ·集电极—发射极漏电流的测试第46-47页
     ·栅极—发射极漏电流的测试第47页
     ·集电极-发射极饱和电压的测试第47-48页
   ·脉冲发生电路设计第48-49页
   ·IGBT驱动电路分析与设计第49-51页
     ·栅极驱动电压第49页
     ·栅极串联电阻第49-51页
   ·实验结果第51-56页
   ·全文总结第56-57页
致谢第57-58页
参考文献第58-60页

 
 
论文编号BS752832,这篇论文共60
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