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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--ZnVSb基压敏电阻陶瓷的低温烧结及电性能研究
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ZnVSb基压敏电阻陶瓷的低温烧结及电性能研究
 
     论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-9页
论文的主要创新及贡献第9-10页
物理量名称及符号表第10-11页
目录第11-15页
第一章 绪论第15-33页
   ·研究背景和意义第15-16页
   ·ZnO基压敏电阻陶瓷概述第16-21页
     ·ZnO基压敏电阻陶瓷的显微结构第16-17页
     ·ZnO基压敏电阻陶瓷的电学特性和导电机理第17-20页
     ·Zno基压敏电阻陶瓷的烧结第20-21页
   ·ZnO基压敏电阻的发展概况第21-22页
   ·ZnO基压敏电阻的低压化第22-24页
     ·ZnO基压敏电阻低压化的途径第22-24页
     ·低压化对ZnO基压敏电阻陶瓷的要求第24页
   ·ZnO基压敏电阻陶瓷的低温烧结第24-27页
   ·研究内容和技术路线第27-28页
     ·研究内容第27-28页
     ·研究的技术路线第28页
 参考文献第28-33页
第二章 实验方法第33-39页
   ·陶瓷制备工艺第33-34页
   ·单片及叠层片式压敏电阻试制第34页
   ·原料粉体粒度分析第34页
   ·陶瓷体积密度和线收缩率第34-36页
   ·陶瓷的相组成分析第36页
   ·陶瓷的显微形貌观察第36页
   ·差热及热重分析第36-37页
   ·压敏电阻的电流-电压(I-V)特性测试第37页
   ·压敏电阻的电容-电压(C-V)特性测试第37-38页
 参考文献第38-39页
第三章 低压ZnO压敏电阻陶瓷组分设计第39-53页
   ·引言第39页
   ·低压ZnO压敏电阻陶瓷的组分设计第39-49页
     ·非线性形成元素第40-43页
     ·非线性促进元素第43-46页
     ·对显微组织形貌有调节作用的元素第46-49页
   ·本章小结第49-50页
 参考文献第50-53页
第四章 V/Sb前驱体对ZnVSb基压敏电阻陶瓷的影响第53-79页
   ·引言第53页
   ·V/Sb前驱体的制备第53-55页
   ·Sb掺杂形式对ZnVSb基压敏电阻陶瓷的影响第55-67页
     ·样品制备第55页
     ·Sb掺杂形式对ZnVSb陶瓷相组成的影响第55-57页
     ·Sb掺杂形式对ZnVSb陶瓷中尖晶石相形成的影响第57-62页
     ·Sb掺杂形式对ZnVSb陶瓷线收缩率及相对密度的影响第62-63页
     ·Sb掺杂形式对ZnVSb陶瓷显微组织的影响第63-64页
     ·Sb掺杂形式对ZnVSb陶瓷电学特性的影响第64-67页
   ·V/Sb前驱体含量对ZnVSb基压敏电阻陶瓷的影响第67-73页
     ·样品制备第67页
     ·V/Sb前驱体含量对ZnVSb陶瓷相组成的影响第67-68页
     ·V/Sb前驱体含量对ZnVSb陶瓷的线收缩率和相对密度的影响第68-71页
     ·V/Sb前驱体含量对ZnVSb陶瓷的显微组织的影响第71页
     ·V/Sb前驱体含量对ZnVSb陶瓷电学性能的影响第71-73页
   ·烧结温度对V/Sb前驱体掺杂ZnVSb基压敏电阻陶瓷的影响第73-76页
     ·烧结温度对V/Sb前驱体掺杂ZnVSb陶瓷相组成的影响第73-74页
     ·烧结温度对V/Sb前驱体掺杂ZnVSb陶瓷显微组织的影响第74-75页
     ·烧结温度对V/Sb前驱体掺杂ZnVsb陶瓷电学特性的影响第75-76页
   ·本章小结第76-77页
 参考文献第77-79页
第五章 尖晶石前驱体对ZnVSb基压敏电阻陶瓷的影响第79-93页
   ·引言第79-80页
   ·实验方法及过程第80-81页
     ·ZnSb尖晶石相前驱体的制备第80页
     ·样品制备第80-81页
   ·尖晶石前驱体含量对ZnVSb陶瓷相组成的影响第81-83页
   ·尖晶石前驱体含量对ZnVSb陶瓷相对密度的影响第83-85页
   ·尖晶石前驱体含量对ZnVSb基压敏陶瓷显微组织的影响第85-86页
   ·尖晶石前驱体含量对ZnVSb陶瓷电性能的影响第86-88页
   ·尖晶石前驱体对ZnVSb陶瓷电性能影响的机理第88-90页
   ·本章小结第90-91页
 参考文献第91-93页
第六章 ZnVSb基压敏电阻陶瓷晶粒生长动力学研究第93-106页
   ·引言第93-94页
   ·样品制备第94页
   ·相对密度第94-95页
   ·晶粒生长动力学第95-103页
   ·本章小结第103-104页
 参考文献第104-106页
第七章 ZnVSb基片式压敏电阻试制第106-126页
   ·引言第106页
   ·试样制备第106-107页
   ·流延工艺制备单片压敏电阻第107-116页
     ·单片压敏电阻样品的翘曲及解决方案第107-110页
     ·烧结工艺对单片压敏电阻陶瓷相对密度的影响第110-111页
     ·单片压敏电阻样品的显微组织形貌第111-113页
     ·单片压敏电阻试样的电性能第113-116页
   ·Ag内电极/ZnVSb陶瓷叠层共烧行为的研究第116-124页
     ·Ag/ZnVSb叠层共烧体的相组成第116-117页
     ·Ag/ZnVSb叠层共烧体的显微组织第117-121页
     ·Ag/ZnVSb叠层共烧体中的离子扩散行为第121-124页
   ·本章小结第124页
 参考文献第124-126页
第八章 全文的主要结论及对进一步研究工作的建议第126-129页
   ·全文主要结论第126-127页
   ·对进一步工作的建议第127-129页
攻读博士学位期间发表的学术论文及申请的专利第129-131页
致谢第131-132页

 
 
论文编号BS1333083,这篇论文共132
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