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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--GaAs及GaAs1-x-yNxBiy四元半导体材料的第一性原理研究
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GaAs及GaAs1-x-yNxBiy四元半导体材料的第一性原理研究
 
     论文目录
 
摘要第9-11页
ABSTRACT第11-12页
符号说明第13-14页
第一章 引言第14-19页
    1.1 半导体材料的基础了解第14-15页
    1.2 半导体材料的相关内容第15-16页
        1.2.1 半导体材料的发展第15-16页
        1.2.2 半导体材料的制备第16页
        1.2.3 半导体材料的种类第16页
    1.3 GaAs半导体材料的概述第16-18页
    1.4 本文的主要研究内容第18-19页
第二章 分子模拟技术第19-27页
    2.1 引言第19页
    2.2 分子模拟方法第19-21页
        2.2.1 蒙特卡罗方法(MC)第19-20页
        2.2.2 分子动力学方法(MD)第20页
        2.2.3 分子力学方法(MM)第20页
        2.2.4 量子力学方法(QM)第20-21页
        2.2.5 介观模拟方法(Mesoscale Simulation)第21页
    2.3 第一性原理计算的基本理论第21-24页
        2.3.1 第一性原理计算第21-22页
        2.3.2 薛定谔方程第22页
        2.3.3 密度泛函理论第22-24页
            2.3.3.1 Hohenberg-Kohn定理第22-23页
            2.3.3.2 Kohn-Sham方程第23页
            2.3.3.3 交换关联能的近似方法第23-24页
            2.3.3.4 密度泛函理论的应用和发展第24页
    2.4 VASP软件包和使用方法介绍第24-27页
第三章 GaAs可饱和吸收点缺陷的第一性原理的研究第27-44页
    3.1 引言第27-28页
    3.2 计算方法第28-29页
    3.3 结果和讨论第29-42页
        3.3.1 Ga空位(V_(Ga))第29-30页
        3.3.2 As空位(V_(As))第30-32页
        3.3.3 Ga反位(Ga_(As))第32-33页
        3.3.4 As反位(As_(Ga))第33-34页
        3.3.5 Ga间隙缺陷(Ga_i)第34-39页
        3.3.6 As间隙缺陷(As_i)第39-42页
    3.4 本章小结第42-44页
第四章 与GaAs晶格匹配的四元化合物GaAs_(1-x-y)N_xBi_y电学和光学性质的第一性原理研究第44-55页
    4.1 引言第44页
    4.2 计算方法第44-45页
    4.3 结果和讨论第45-54页
        4.3.1 结构和电学性质第45-46页
        4.3.2 光学性质第46-50页
        4.3.3 N,Bi组分发生变化时GaAs_(1-x-y)N_xBi_y四元化合物的性质的变化第50-54页
    4.4 本章小结第54-55页
第五章 全文总结第55-57页
    5.1 论文完成的工作第55-56页
    5.2 展望第56-57页
参考文献第57-61页
致谢第61-62页
攻读硕士研究生期间研究成果第62-63页
附件第63页

 
 
论文编号BS2794183,这篇论文共63
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