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PLD制备InGaZnO薄膜及其物理性质研究 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第1-7页 | | Abstract | 第7-14页 | | 第1章 绪论 | 第14-26页 | | ·透明氧化物半导体简介 | 第14-16页 | | ·透明氧化物半导体研究现状 | 第15页 | | ·透明氧化物半导体应用 | 第15-16页 | | ·InGaZnO 薄膜的研究现状 | 第16-20页 | | ·InGaZnO 简介 | 第16页 | | ·InGaZnO 的电子输运特性 | 第16-17页 | | ·InGaZnO 薄膜以及 TFT 研究进展 | 第17-20页 | | ·氧化物半导体薄膜制备技术 | 第20-24页 | | ·分子束外延 | 第21-22页 | | ·磁控溅射 | 第22页 | | ·化学气相沉积 | 第22-23页 | | ·溶胶-凝胶法 | 第23页 | | ·脉冲激光沉积 | 第23-24页 | | ·本课题研究内容 | 第24-26页 | | 第2章 透明氧化物半导体材料的理论分析 | 第26-48页 | | ·引言 | 第26页 | | ·密度泛函理论 | 第26-31页 | | ·薛定谔方程 | 第27-28页 | | ·绝热近似（Bom-Oppenheimer)方法 | 第28页 | | ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第28-29页 | | ·Kohn-Sham 方程 | 第29-30页 | | ·交换-关联能函数近似 | 第30-31页 | | ·计算模拟软件介绍 | 第31-33页 | | ·Material Studio 软件 | 第31-32页 | | ·CASTEP 软件 | 第32-33页 | | ·理想 ZnO 电子结构和性质的理论计算 | 第33-37页 | | ·理想 ZnO 的模型构建与计算方法 | 第33-34页 | | ·理想 ZnO 电子结构计算 | 第34-37页 | | ·氧空位对于 ZnO 电子结构的影响 | 第37-39页 | | ·模型构建与计算方法 | 第37-38页 | | ·能带结构和态密度 | 第38-39页 | | ·分波态密度 | 第39页 | | ·InGaZnO 电子结构的理论计算与分析 | 第39-46页 | | ·InGaZnO_4电子结构计算 | 第40-43页 | | ·虚拟晶体近似法计算InGaZnO_4电子结构 | 第43-46页 | | ·本章小结 | 第46-48页 | | 第3章 实验设备及表征方法 | 第48-62页 | | ·InGaZnO 陶瓷靶材制备 | 第48-51页 | | ·固相反应烧结法基本原理 | 第48页 | | ·靶材制备设备 | 第48-50页 | | ·InGaZnO 靶材制备的实验流程 | 第50-51页 | | ·InGaZnO 薄膜制备 | 第51-55页 | | ·脉冲激光沉积法基本原理 | 第51-53页 | | ·脉冲激光沉积系统 | 第53-55页 | | ·InGaZnO 薄膜制备的实验流程 | 第55页 | | ·表征方法及原理 | 第55-60页 | | ·薄膜厚度测试 | 第55-56页 | | ·X 射线衍射测试 | 第56-57页 | | ·表面形貌测试 | 第57-58页 | | ·透射光谱测试 | 第58页 | | ·电学性质测试 | 第58页 | | ·X 射线光电子能谱分析 | 第58-59页 | | ·拉曼光谱测试 | 第59-60页 | | ·荧光光谱测试 | 第60页 | | ·本章小结 | 第60-62页 | | 第4章 InGaZnO 陶瓷靶材的制备及表征 | 第62-70页 | | ·引言 | 第62页 | | ·InGaZnO 陶瓷靶材制备 | 第62-64页 | | ·InGaZnO 陶瓷靶材性能表征 | 第64-69页 | | ·径向收缩率测试 | 第64-65页 | | ·XRD 测试 | 第65-67页 | | ·拉曼光谱分析 | 第67-68页 | | ·光致发光光谱分析 | 第68-69页 | | ·本章小结 | 第69-70页 | | 第5章 沉积参数对 InGaZnO 薄膜物理性质的影响 | 第70-95页 | | ·引言 | 第70页 | | ·氧分压对沉积 InGaZnO 薄膜物理性质的影响 | 第70-82页 | | ·采用(Ga_2O_3)_(0.1)(In_2O_3)_(0.1)(ZnO)_(0.8)靶材进行薄膜沉积 | 第70-77页 | | ·采用(Ga_2O_3)_(0.1)(In_2O_3)_(0.8)(ZnO)_(0.1)靶材进行薄膜沉积 | 第77-82页 | | ·基片温度对沉积 InGaZnO 薄膜物理性质的影响 | 第82-93页 | | ·低基片温度对沉积 InGaZnO 薄膜的影响 | 第83-88页 | | ·高基片温度对沉积 InGaZnO 薄膜的影响 | 第88-93页 | | ·本章小结 | 第93-95页 | | 结论 | 第95-98页 | | 参考文献 | 第98-110页 | | 攻读博士学位期间所发表的学术论文 | 第110-112页 | | 致谢 | 第112-114页 | | 个人简历 | 第114-115页 |
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论文编号BS30683，这篇论文共115页
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