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低压瞬态增强无片外电容LDO线性稳压器的研究与设计 |
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论文目录 |
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摘要 | 第5-6页 | ABSTRACT | 第6-7页 | 符号对照表 | 第11-12页 | 缩略语对照表 | 第12-15页 | 第一章 绪论 | 第15-19页 | 1.1 研究背景及意义 | 第15页 | 1.2 无片外电容LDO的设计难点 | 第15-17页 | 1.3 无片外电容LDO研究现状 | 第17-18页 | 1.4 本文的主要工作及论文结构安排 | 第18-19页 | 第二章 LDO线性稳压器的基本理论 | 第19-31页 | 2.1 LDO的结构与工作原理 | 第19-20页 | 2.2 LDO的典型应用 | 第20-21页 | 2.3 LDO的性能指标 | 第21-27页 | 2.4 LDO线性稳压器电源抑制比 | 第27-30页 | 2.5 小结 | 第30-31页 | 第三章 无片外电容LDO电路的子模块设计 | 第31-59页 | 3.1 带隙基准电路 | 第31-38页 | 3.1.1 基准的性能参数 | 第31-34页 | 3.1.2 带隙基准的工作原理 | 第34页 | 3.1.3 带隙电压基准设计 | 第34-36页 | 3.1.4 带隙基准电压源仿真结果 | 第36-38页 | 3.2 误差放大器电路 | 第38-46页 | 3.2.1 误差放大器的参数指标 | 第38-42页 | 3.2.2 误差放大器的设计 | 第42-44页 | 3.2.3 误差放大器的仿真 | 第44-46页 | 3.3 调整管 | 第46-49页 | 3.3.1 调整管的分类 | 第46-47页 | 3.3.2 调整管的选取 | 第47-48页 | 3.3.3 NMOS调整管尺寸的确定 | 第48-49页 | 3.3.4 NMOS调整管尺寸仿真 | 第49页 | 3.4 瞬态增强电路 | 第49-53页 | 3.4.1 瞬态增强电路的仿真 | 第49-50页 | 3.4.2 存储单元的设计 | 第50-51页 | 3.4.3 比较器的设计 | 第51-52页 | 3.4.4 充放电电路的设计 | 第52-53页 | 3.5 保护电路 | 第53-58页 | 3.5.1 过流保护电路的设计 | 第54-56页 | 3.5.2 过温保护电路的设计 | 第56-58页 | 3.6 小结 | 第58-59页 | 第四章 LDO整体仿真 | 第59-75页 | 4.1 LDO系统的技术指标 | 第59页 | 4.2 直流特性仿真 | 第59-65页 | 4.2.1 漏失电压 | 第59-61页 | 4.2.2 负载调整率 | 第61-62页 | 4.2.3 线性调整率 | 第62页 | 4.2.4 静态电流 | 第62-64页 | 4.2.5 关断电流仿真 | 第64页 | 4.2.6 精度 | 第64-65页 | 4.3 交流特性仿真 | 第65-68页 | 4.3.1 环路增益 | 第65-66页 | 4.3.2 相位裕度 | 第66-67页 | 4.3.3 电源抑制 | 第67-68页 | 4.4 瞬态特性仿真 | 第68-74页 | 4.4.1 LDO启动过程 | 第68-69页 | 4.4.2 负载瞬态响应 | 第69-71页 | 4.4.3 线性瞬态响应 | 第71-74页 | 4.5 小结 | 第74-75页 | 第五章 总结与展望 | 第75-77页 | 参考文献 | 第77-81页 | 致谢 | 第81-83页 | 作者简介 | 第83-84页 |
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