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TiO2纳米线忆阻器的研究
 
     论文目录
 
摘要第4-6页
Abstract第6-7页
1 绪论第10-35页
    1.1 半导体存储器概述第10-15页
    1.2 忆阻器的研究现状第15-26页
    1.3 TiO_2纳米线的研究现状第26-29页
    1.4 TiO_2纳米线忆阻器的研究现状第29-32页
    1.5 选题意义与主要研究内容第32-35页
2 金红石TiO_2纳米线的制备及其光学性质第35-61页
    2.1 引言第35-36页
    2.2 金红石TiO_2纳米线的制备第36-37页
    2.3 金红石TiO_2纳米线的结构表征第37-43页
    2.4 金红石TiO_2纳米线的生长机制第43页
    2.5 工艺参数对材料结构和光学性质的影响第43-60页
    2.6 本章小结第60-61页
3 金红石TiO_2纳米线忆阻器的制备和阻变开关特性第61-91页
    3.1 引言第61-62页
    3.2 金红石TiO_2纳米线忆阻器的设计第62-64页
    3.3 不同生长取向金红石TiO_2纳米线的结构特性第64-70页
    3.4 Au/TiO_2 (101) NWAs/FTO忆阻器的开关特性和开关机制第70-81页
    3.5 Au/TiO_2 (002) NWAs/FTO忆阻器的开关特性和开关机制第81-90页
    3.6 本章小结第90-91页
4 锐钛矿TiO_2纳米线忆阻器的制备和阻变开关特性第91-110页
    4.1 引言第91-92页
    4.2 锐钛矿TiO_2纳米线忆阻器的制备过程第92-94页
    4.3 锐钛矿TiO_2纳米线的结构分析第94-102页
    4.4 锐钛矿TiO_2纳米线忆阻器的电学特性第102-107页
    4.5 锐钛矿TiO_2纳米线忆阻器的阻变开关机制第107-108页
    4.6 本章小结第108-110页
5 锐钛矿/金红石异质结TiO_2忆阻器的制备和阻变开关特性第110-130页
    5.1 引言第110-111页
    5.2 锐钛矿/金红石异质结TiO_2忆阻器的制备工艺第111-114页
    5.3 锐钛矿/金红石异质结TiO_2的结构表征第114-120页
    5.4 Au/Anatase/Rutile TiO_2/FTO忆阻器的阻变开关特性第120-127页
    5.5 Au/Anatase/Rutile TiO_2/FTO忆阻器的阻变开关机制第127-128页
    5.6 本章小结第128-130页
6 总结与展望第130-133页
致谢第133-134页
参考文献第134-146页
附录1 攻读博士学位期间发表论文目录第146页

 
 
论文编号BS4032533,这篇论文共146
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