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高性能应变SiGe PMOSFET器件结构设计与关键工艺研究 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第1-4页 | | Abstract | 第4-7页 | | 第一章 绪论 | 第7-11页 | | ·引言 | 第7页 | | ·国内外SiGe/Si技术的发展动态 | 第7-9页 | | ·本论文主要工作 | 第9-11页 | | 第二章 应变SiGe器件基本物理特性 | 第11-19页 | | ·SiGe材料的形成及其特点 | 第11-13页 | | ·SiGe晶格结构的分析 | 第11-12页 | | ·SiGe 合金禁带宽度 | 第12-13页 | | ·应变SiGe本征载流子浓度和有效态密度 | 第13-17页 | | ·应变SiGe载流子有效质量 | 第14-15页 | | ·应变SiGe载流子迁移率模型 | 第15-17页 | | 2. 3 本章小结 | 第17-19页 | | 第三章 应变SiGe PMOSFET电学特性研究 | 第19-35页 | | ·SiGe PMOSFET的基本结构和工作原理 | 第19-20页 | | ·应变对能带的影响 | 第20-21页 | | ·应变SiGe PMOSFET的电学模型 | 第21-27页 | | ·阈值电压 | 第21-23页 | | ·I-V 特性及跨导 | 第23-24页 | | ·频率特性 | 第24页 | | ·模型仿真 | 第24-27页 | | ·器件结构参数优化设计 | 第27-33页 | | ·Si 帽层 | 第27-28页 | | ·栅氧层 | 第28-29页 | | ·Ge组分 | 第29-32页 | | ·SiGe层厚度 | 第32-33页 | | ·本章小结 | 第33-35页 | | 第四章 SiGe PMOSFET 器件制备关键工艺技术研究 | 第35-65页 | | ·离子注入 | 第35-48页 | | ·核碰撞和电子碰撞 | 第35-36页 | | ·注入射程估计 | 第36-37页 | | ·杂质分布 | 第37-47页 | | ·沟道注入 | 第47-48页 | | ·退火 | 第48-60页 | | ·离子注入造成的损伤 | 第49-51页 | | ·退火温度的影响 | 第51-52页 | | ·热退火过程中的扩散效应 | 第52-57页 | | ·退火对器件性能的影响 | 第57-59页 | | ·快速退火 | 第59-60页 | | ·SiGe外延生长 | 第60-61页 | | ·温度对外延层质量的影响 | 第60页 | | ·外延层生长速率 | 第60-61页 | | ·LDD 结构 | 第61-63页 | | ·本章小结 | 第63-65页 | | 第五章 SiGe PMOSFET 工艺优化及器件仿真 | 第65-71页 | | ·工艺优化 | 第65-66页 | | 5. 2 应变SiGe PMOSFET工艺仿真 | 第66-70页 | | ·本章小结 | 第70-71页 | | 第六章 总结与展望 | 第71-73页 | | 致谢 | 第73-75页 | | 参考文献 | 第75-78页 |
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论文编号BS150984，这篇论文共78页
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