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单轴应变Si能带结构与nMOS电子迁移率研究 |
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| 论文目录 |
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| 作者简介 | 第1-6页 | | 摘要 | 第6-8页 | | Abstract | 第8-12页 | | 第一章 绪论 | 第12-32页 | | ·引言 | 第12-13页 | | ·MOS器件应力引入方法及技术分类 | 第13-23页 | | ·全局应变技术 | 第15-18页 | | ·局部应变技术 | 第18-23页 | | ·国内外应变Si技术发展历程 | 第23-27页 | | ·应变Si技术发展趋势 | 第27-29页 | | ·本论文研究意义与研究内容 | 第29-32页 | | 第二章 单轴应变Si材料能带结构研究 | 第32-72页 | | ·单轴应变张量模型 | 第32-36页 | | ·应变张量模型 | 第32-34页 | | ·应变张量通解 | 第34-35页 | | ·(001)、(101)和(111)面应变张量 | 第35-36页 | | ·单轴应变Si导带色散关系 | 第36-44页 | | ·模型建立 | 第36-41页 | | ·结果与讨论 | 第41-44页 | | ·单轴应变Si价带结构 | 第44-58页 | | ·单轴应变Si价带色散关系模型 | 第45-47页 | | ·单轴应变Si价带能带结构 | 第47-58页 | | ·价带极值点能级 | 第48-52页 | | ·能带色散关系 | 第52-56页 | | ·价带典型晶面/晶向等能图 | 第56-58页 | | ·单轴应变Si能带关键结构参数 | 第58-69页 | | ·导带能带结构参数 | 第58-62页 | | ·价带能带结构参数 | 第62-69页 | | ·本章小结 | 第69-72页 | | 第三章 单轴应变Si nMOS阈值电压研究 | 第72-94页 | | ·单轴应变Si nMOS反型层量子化特性 | 第72-85页 | | ·单轴应力与有效质量 | 第72-73页 | | ·单轴应力与阈值表面势 | 第73-77页 | | ·应变Si nMOS反型层量子化特性 | 第77-81页 | | ·结果与讨论 | 第81-85页 | | ·单轴应变Si nMOS阈值电压研究 | 第85-89页 | | ·阈值电压模型计算结果与讨论 | 第89-93页 | | ·本章小结 | 第93-94页 | | 第四章 单轴应变Si nMOS电子迁移率研究 | 第94-124页 | | ·体Si材料电子散射几率模型 | 第94-97页 | | ·应变Si nMOS电子迁移率增强机理概述 | 第97-98页 | | ·应变Si nMOS反型层子带色散关系 | 第98-106页 | | ·有效质量近似下的色散关系 | 第98-100页 | | ·器件坐标系下导带能谷的横纵有效质量 | 第100-106页 | | ·反型层电子态密度有效质量与电导率有效质量 | 第106-110页 | | ·态密度有效质量 | 第106-107页 | | ·反型层能谷电子占据几率与电导率有效质量 | 第107-110页 | | ·反型层电子散射几率 | 第110-113页 | | ·声学声子散射几率 | 第110-112页 | | ·表面粗糙度散射几率 | 第112-113页 | | ·反型层电子迁移率计算与讨论 | 第113-116页 | | ·迁移率与器件参数的关系 | 第116-122页 | | ·反型层电荷面密度模型 | 第116-118页 | | ·线性区沟道电流模型 | 第118页 | | ·器件模拟仿真 | 第118-122页 | | ·本章小结 | 第122-124页 | | 第五章 总结 | 第124-128页 | | ·论文的主要工作与成果 | 第124-126页 | | ·对进一步研究工作的考虑 | 第126-128页 | | 致谢 | 第128-130页 | | 参考文献 | 第130-142页 | | 攻读博士学位期间的研究成果 | 第142-144页 |
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论文编号BS1765234，这篇论文共144页
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