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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--基于Pt/TiO2-x/TiO2/TiO2+x/Pt双扩展忆阻器研究
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基于Pt/TiO2-x/TiO2/TiO2+x/Pt双扩展忆阻器研究
 
     论文目录
 
中文摘要第1-8页
Abstract第8-13页
Contents第13-16页
第1章 绪论第16-30页
   ·论文研究的背景与意义第16-22页
   ·国际国内忆阻器研究现状第22-28页
   ·研究内容与论文结构安排第28-30页
第2章 忆阻器工作原理与存储技术研究第30-45页
   ·忆阻器理论模型的提出第30-32页
   ·惠普忆阻器工作机理与模型分析第32-39页
     ·惠普忆阻器导电机理第33-36页
     ·惠普忆阻器模型分析第36-39页
   ·忆阻器存储与操作研究第39-44页
     ·忆阻器的存储结构第39-42页
     ·忆阻器的读写机理第42-44页
   ·本章小结第44-45页
第3章 忆阻器建模仿真第45-54页
   ·忆阻器建模原理第45-47页
   ·忆阻器状态开关过程分析与实验结果第47-48页
   ·忆阻器仿真分析第48-53页
     ·忆阻器 HSPICE 仿真第48-50页
     ·忆阻器 Matlab 仿真第50-53页
   ·本章小结第53-54页
第4章 铂纳米线与 TiO_2纳米膜的制备及表征研究第54-82页
   ·一维纳米线的制备第54-58页
     ·纳米线制备方法简介第54-55页
     ·模板法制备纳米线第55-58页
   ·电化学沉积法制备铂纳米线第58-67页
     ·AAO 模板的制备第59-61页
     ·蒸镀铂电极第61-63页
     ·制备用于电化学沉积的铂电极第63页
     ·电化学沉积铂纳米线第63-65页
     ·铂纳米线 SEM 表征分析第65-67页
     ·铂纳米线 TEM 表征分析第67页
   ·TiO2纳米薄膜制备方法第67-77页
     ·溶胶凝胶法(sol-gel)第68-69页
     ·化学气相沉积方法第69页
     ·制备 TiO_2薄膜的物理方法工艺原理第69-77页
   ·磁控溅射方法制备 TiO2薄膜第77-79页
     ·TiO_2薄膜的 SEM 表征分析第77-78页
     ·TiO_2薄膜的能谱分析第78-79页
   ·磁控溅射方法制备缺氧 TiO_(2-x)膜与富氧 TiO_(2+x)膜第79-80页
     ·制备缺氧 TiO_(2-x)膜第79-80页
     ·制备富氧 TiO_(2+x)膜第80页
   ·本章小结第80-82页
第5章 双扩展忆阻器的工作原理与制备工艺第82-94页
   ·双扩展忆阻器的结构模型与基本原理第82-87页
     ·双扩展忆阻器的结构模型第82-83页
     ·双扩展忆阻器的工作原理第83-87页
   ·双扩展忆阻器制备工艺与结果分析第87-93页
     ·双扩展忆阻器制备工艺流程第87-90页
     ·双扩展忆阻器实物样品与表征分析第90-93页
   ·本章小结第93-94页
第6章 双扩展忆阻器特性分析与对比实验第94-109页
   ·铂纳米线特性分析第94-95页
   ·双扩展忆阻器特性测试结果与分析第95-102页
   ·双扩展忆阻器对比实验与结果分析第102-104页
   ·双扩展忆阻器的存储器电路原理图第104-108页
   ·本章小结第108-109页
结论第109-111页
主要创新点第111-112页
参考文献第112-124页
致谢第124-125页
攻读博士学位期间发表的学术论文第125-126页

 
 
论文编号BS2182484,这篇论文共126
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