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大功率IGBT芯片与DBC纳米银膏低温烧结接头组织与性能研究
 
     论文目录
 
摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第8-18页
    1.1 研究背景及意义第8-9页
    1.2 功率电子器件的发展第9-12页
        1.2.1 功率电子器件技术发展第9-10页
        1.2.2 功率电子器件材料发展第10-11页
        1.2.3 IGBT简介第11-12页
    1.3 IGBT功率模块封装技术研究第12-16页
        1.3.1 功率模块封装结构第12-13页
        1.3.2 芯片表面互连技术第13-14页
        1.3.3 芯片界面互连技术第14-16页
    1.4 本文的研究意义及主要内容第16-18页
第二章 实验方法及设备第18-26页
    2.1 纳米银膏烧结工艺第18-22页
        2.1.1 材料第18-19页
        2.1.2 无压烧结试样制备第19-21页
        2.1.3 压力烧结试样制备第21页
        2.1.4 银膏热特性、剪切强度及微观组织分析第21-22页
    2.2 芯片/DBC接头时效老化研究第22页
    2.3 实验设备第22-26页
        2.3.1 可编程数字加热台第22-23页
        2.3.2 剪切试验机第23-24页
        2.3.3 氮气回流焊机第24-25页
        2.3.4 X射线扫描仪第25-26页
第三章 纳米银膏低温烧结工艺研究第26-41页
    3.1 超声辅助纳米银膏无压烧结第26-35页
        3.1.1 引言第26-27页
        3.1.2 纳米银焊膏的热特性第27-29页
        3.1.3 超声振动对无压烧结银膏微观组织的影响第29-30页
        3.1.4 超声振动对纳米银膏无压烧结接头的影响第30-35页
    3.2 纳米银焊膏压力烧结第35-39页
        3.2.1 独立加载恒压烧结夹具第35-36页
        3.2.2 压力烧结工艺研究第36-39页
    3.3 本章小结第39-41页
第四章 芯片/DBC接头高温时效研究第41-50页
    4.1 引言第41-42页
    4.2 钎焊接头在时效处理下的可靠性第42-46页
    4.3 烧结接头在时效处理下的可靠性第46-48页
    4.4 本章小结第48-50页
第五章 结论与展望第50-52页
    5.1 结论第50-51页
    5.2 展望第51-52页
参考文献第52-56页
发表论文和参加科研情况第56-57页
致谢第57-58页

 
 
论文编号BS2738934,这篇论文共58
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