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射频VDMOS器件结构研究

论文目录

摘要	第1-4页
Abstract	第4-7页
第一章绪论	第7-15页
·VDMOS器件简介	第7-11页
·功率器件发展历史	第7-10页
·VDMOS器件结构和特点	第10-11页
·VDMOS器件研究进展	第11页
·VDMOS研究方向	第11-12页
·本论文的研究意义和研究内容	第12-15页
第二章功率VDMOS准饱和特性研究	第15-27页
·准饱和特性机理	第15-21页
·准饱和特性的危害	第18页
·P体间距（栅宽）对准饱和特性的影响	第18-20页
·外延层掺杂浓度对准饱和特性的影响	第20-21页
·准饱和特性的改善	第21-25页
·本章小结	第25-27页
第三章 VDMOS击穿特性研究	第27-37页
·高压大电流VDMOS的Superjunction结构	第27-30页
·超结理论基本原理	第27-29页
·超结理论在应用中的缺陷	第29-30页
·PFVDMOS结构简介	第30-32页
·低压VDMOS击穿电压分析	第32-33页
·击穿电压和外延层浓度的关系	第32页
·击穿电压和沟道浓度的关系	第32-33页
·阈值电压	第33-37页
第四章 VDMOS射频特性研究	第37-47页
·VDMOS与LDMOS在频率特性上的比较	第37-39页
·影响跨导特性的因素	第39-40页
·栅氧化层厚度对跨导的影响	第39-40页
·外延层浓度对跨导的影响	第40页
·影响VDMOS电容特性的因素	第40-47页
·栅漏电容的构成	第41-43页
·沟道浓度对电容特性的影响	第43-44页
·漂移区浓度对电容特性的影响	第44-47页
第五章 VDMOS新结构	第47-53页
·虚拟栅结构简介	第47-48页
·新结构器件及其特性分析	第48-53页
·新结构的提出	第48-49页
·电容特性	第49-50页
·击穿特性	第50-53页
第六章结束语	第53-55页
·总结	第53页
·未来计划	第53-55页
致谢	第55-56页
参考文献	第56-59页
研究成果	第59-60页

论文编号BS749334，这篇论文共60页会员购买按0.35元/页下载，共需支付21元。直接购买按0.5元/页下载，共需要支付30元。

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