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氢化硅薄膜介观力学行为研究和耐高温压力传感器研制 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第1-10页 | | ABSTRACT | 第10-16页 | | 第一章 引言 | 第16-26页 | | ·氢化硅薄膜的力学行为研究背景和意义 | 第16-19页 | | ·耐高温压力传感器研究背景和意义 | 第19-21页 | | ·论文的主要内容 | 第21-22页 | | 参考文献 | 第22-26页 | | 第二章 氢化硅薄膜的制备和微观表征 | 第26-46页 | | ·引言 | 第26页 | | ·射频等离子体增强化学气相沉积法 | 第26-28页 | | ·拉曼测试晶态比和平均晶粒大小 | 第28-36页 | | ·薄膜厚度研究 | 第36-40页 | | ·XRD衍射谱 | 第40-44页 | | 本章小结 | 第44页 | | 参考文献 | 第44-46页 | | 第三章 衬底对纳米硅薄膜生长的影响 | 第46-56页 | | ·引言 | 第46页 | | ·纳米硅薄膜的微观表征 | 第46-48页 | | ·薄膜的AFM和HRTEM研究 | 第48-50页 | | ·结果和讨论 | 第50-54页 | | 本章小结 | 第54页 | | 参考文献 | 第54-56页 | | 第四章 不同单光子激光线的氢化硅薄膜拉曼谱 | 第56-68页 | | ·引言 | 第56页 | | ·薄膜制备 | 第56-57页 | | ·结果讨论 | 第57-61页 | | ·薄膜内应力 | 第61-65页 | | 本章小结 | 第65页 | | 参考文献 | 第65-68页 | | 第五章 氢化硅薄膜介观力学行为及其与微结构内禀关联特性 | 第68-78页 | | ·引言 | 第68页 | | ·纳米压痕 | 第68-72页 | | ·结果和讨论 | 第72-75页 | | 本章小结 | 第75页 | | 参考文献 | 第75-78页 | | 第六章 耐高温压阻式压力传感器 | 第78-122页 | | ·耐高温压阻式压力传感器简介 | 第78-83页 | | ·引言 | 第78-79页 | | ·压阻式压力传感器基本原理 | 第79-80页 | | ·硅扩散压阻式压力传感器 | 第80-81页 | | ·耐高温压阻式压力传感器 | 第81-83页 | | ·基于SIMOX的耐高温压力传感器芯片制作 | 第83-88页 | | ·压力传感器芯片设计 | 第83-85页 | | ·SIMOX的耐高温压力传感器芯片制作 | 第85-88页 | | ·耐高温压阻式压力传感器封装 | 第88-99页 | | ·引言 | 第88-89页 | | ·硅/玻璃环静电键合 | 第89-94页 | | ·内引线键合 | 第94-97页 | | ·外引线转接 | 第97-99页 | | ·耐高温压力传感器静态标定及温度漂移补偿 | 第99-111页 | | ·耐高温压力传感器的静态标定指标 | 第99-101页 | | ·热灵敏度漂移系数及补偿 | 第101-104页 | | ·零位输出及其补偿 | 第104-105页 | | ·热零点漂移系数及补偿 | 第105-107页 | | ·耐高温压力传感器标定结果 | 第107-109页 | | ·与国外同类产品的比较 | 第109-111页 | | ·通用型分体式耐高温压力传感器研制 | 第111-116页 | | ·引言 | 第111-112页 | | ·耐高温分体式压力传感器结构设计 | 第112-113页 | | ·传感器前置电路 | 第113-114页 | | ·耐高温分体式压力传感器高温标定 | 第114-116页 | | 本章小结 | 第116-117页 | | 参考文献 | 第117-122页 | | 第七章 结论 | 第122-124页 | | 致谢 | 第124-126页 | | 攻读学位期间发表的论文、专利、参加项目及奖励 | 第126-129页 |
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论文编号BS1888035，这篇论文共129页
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