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极低频外电场作用下神经元网络适应性的研究 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第1-4页 | | ABSTRACT | 第4-8页 | | 第一章 绪论 | 第8-13页 | | ·研究意义 | 第8-9页 | | ·研究背景 | 第9-11页 | | ·神经元模型 | 第9页 | | ·放电频率适应性 | 第9-10页 | | ·适应性分析—ISI 相关性分析 | 第10-11页 | | ·研究思路 | 第11页 | | ·主要贡献 | 第11-12页 | | ·内容安排 | 第12-13页 | | 第二章 单神经元模型的适应性 | 第13-32页 | | ·Ermentrout 模型 | 第13-15页 | | ·直流电流作用下 Ermentrout 模型的适应性 | 第15-18页 | | ·放电频率分析 | 第15-17页 | | ·ISI 相关性分析 | 第17-18页 | | ·直流外电场作用下的 Ermentrout 模型的适应性 | 第18-24页 | | ·Ermentrout 模型 | 第19-21页 | | ·放电频率分析 | 第21-23页 | | ·ISI 相关性分析 | 第23-24页 | | ·交流外电场作用下的 Ermentrout 模型的适应性 | 第24-31页 | | ·频率不变 | 第24-28页 | | ·幅值不变 | 第28-31页 | | ·本章小结 | 第31-32页 | | 第三章 两个耦合神经元的适应性 | 第32-44页 | | ·两个耦合神经元模型 | 第32-33页 | | ·直流电流作用下的两个耦合神经元的适应性 | 第33-35页 | | ·放电频率分析 | 第33-34页 | | ·ISI 相关性分析 | 第34-35页 | | ·直流外电场作用下的两个耦合神经元的适应性 | 第35-37页 | | ·放电频率分析 | 第35-37页 | | ·ISI 相关性分析 | 第37页 | | ·交流外电场作用下的两个耦合神经元适应性 | 第37-43页 | | ·频率不变 | 第38-40页 | | ·幅值不变 | 第40-43页 | | ·本章小结 | 第43-44页 | | 第四章 神经元网络模型适应性 | 第44-52页 | | ·小世界神经元网络模型 | 第44-45页 | | ·参数对神经元网络适应性的影响 | 第45-47页 | | ·神经元数目 | 第45页 | | ·重连概率 | 第45-47页 | | ·耦合强度 | 第47页 | | ·直流外电场作用下神经元网络的适应性 | 第47-49页 | | ·交流外电场作用下神经元网络的适应性 | 第49-51页 | | ·频率不变 | 第49-50页 | | ·幅值不变 | 第50-51页 | | ·本章小结 | 第51-52页 | | 第五章 总结与展望 | 第52-54页 | | ·总结 | 第52-53页 | | ·工作展望 | 第53-54页 | | 参考文献 | 第54-61页 | | 发表论文和参加科研情况说明 | 第61-62页 | | 致谢 | 第62页 |
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论文编号BS2230335，这篇论文共62页
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