| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-24页 |
| 1.1 能谷电子学 | 第8-9页 |
| 1.2 谷电子学材料 | 第9-17页 |
| 1.2.1 单原子层二维材料 | 第10-13页 |
| 1.2.2 二维过渡金属硫化物 | 第13-17页 |
| 1.3 ABO_3/AB'O_3超晶格 | 第17-22页 |
| 1.3.1 BiIrO_3/BiAlO_3 超晶格 | 第17-19页 |
| 1.3.2 LaAuO_3/LaAlO_3和BiAuO_3/BiAlO_3 超晶格 | 第19-22页 |
| 1.4 本论文的工作 | 第22-24页 |
| 第2章 理论基础与方法 | 第24-32页 |
| 2.1 基本近似方法 | 第24-26页 |
| 2.1.1 非相对论近似 | 第24-25页 |
| 2.1.2 绝热近似 | 第25-26页 |
| 2.1.3 单电子近似 | 第26页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第26-28页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第27页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第27-28页 |
| 2.3 计算程序简介 | 第28-32页 |
| 2.3.1 计算流程 | 第28-29页 |
| 2.3.2 计算数据处理 | 第29-32页 |
| 第3章 WSe_2/BiIrO_3和WS_2/SrRuO_3 界面的电子结构及调控 | 第32-48页 |
| 3.1 WSe_2/BiIrO_3 界面的电子结构及调控 | 第32-40页 |
| 3.1.1 模型和计算方法 | 第33-34页 |
| 3.1.2 WSe_2/BiIrO_3 界面的电子结构 | 第34-39页 |
| 3.1.3 WSe_2/BiIrO_3 界面的电子结构的电场调控 | 第39-40页 |
| 3.2 WS_2/SrRuO_3 界面的电子结构及调控 | 第40-46页 |
| 3.2.1 模型和计算方法 | 第40-41页 |
| 3.2.2 WS_2/SrRuO_3 界面的电子结构 | 第41-43页 |
| 3.2.3 WS_2/SrRuO_3 界面的电子结构的应力调控 | 第43-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-48页 |
| 第4章 SrRuO_3/BiIrO_3 超晶格的电子结构及调控 | 第48-60页 |
| 4.1 SrRuO_3/BiIrO_3 超晶格的电子结构 | 第48-55页 |
| 4.1.1 模型和计算方法 | 第49-50页 |
| 4.1.2 SrRuO_3/BiIrO_3 超晶格的电子结构 | 第50-55页 |
| 4.2 自旋-轨道耦合作用对SrRuO_3/BiIrO_3 超晶格的电子结构的影响 | 第55-58页 |
| 4.2.1 模型和计算方法 | 第55-56页 |
| 4.2.2 自旋-轨道耦合作用对电子结构的影响 | 第56-57页 |
| 4.2.3 BiIrO_3原子层数对电子结构的影响 | 第57-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-60页 |
| 第5章 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-74页 |
| 攻读硕士学位期间完成的学术论文 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
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