| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-30页 |
| ·半导体纳米晶体材料前驱物：含有机硫配体的杂金属镓(铟)-铜（银）化合物 | 第11-20页 |
| ·半导体纳米晶体材料的研究意义 | 第11-12页 |
| ·半导体纳米晶体材料前驱物的合成方法 | 第12-13页 |
| ·物理方法 | 第12页 |
| ·化学合成方法 | 第12-13页 |
| ·含硫属配体化合物的合成 | 第13-20页 |
| ·金属镓(铟)含硫配体二元化合物的合成 | 第13-15页 |
| ·由[MoSe_4]~(2-)和[WSe_4]~(2-)为合成子的簇合物的合成 | 第15页 |
| ·A~Ⅰ B~Ⅲ C_2(A = Cu, Ag；B = Ga, In；C = S, Se)型三元化合物的合成 | 第15-20页 |
| ·含硫配体金属镓化合物的主要表征方法 | 第20页 |
| ·含有机硫配体的杂金属锡-铜化合物的合成 | 第20-28页 |
| ·金属锡含有机硫配体化合物的研究背景及意义 | 第20-21页 |
| ·金属锡含有机硫配体化合物的合成 | 第21-28页 |
| ·金属锡含有机硫配体二元化合物的合成 | 第21-25页 |
| ·金属锡含有机硫配体的杂金属三元化合物的合成 | 第25-28页 |
| ·本论文的研究思路及主要内容 | 第28-30页 |
| 第二章 实验部分 | 第30-39页 |
| ·原料和仪器 | 第30页 |
| ·原料与试剂 | 第30页 |
| ·仪器 | 第30页 |
| ·合成部分 | 第30-34页 |
| ·[Et_4N][Ga(SC_6H_4Me-p)4] (1) | 第30-31页 |
| ·[Et_4N][In(SC_6H_4Me-p)_4] (2) | 第31页 |
| ·[Et_4N][Ga(SePh)_4] (3) | 第31页 |
| ·[Et_4N][Ga(edt)Cl_2] (4) | 第31-32页 |
| ·[Et_4N][Ga(edt)_2] (5) | 第32页 |
| ·[Ga(edt)_2][Cu(PPh_3)_2] (6) | 第32页 |
| ·[Ga(edt)_2][Ag(PPh_3)_2] (7) | 第32-33页 |
| ·[Sn(edt)_2Cl(μ-I)(μ_3-I)(CuPPh_3)_3] (8) | 第33页 |
| ·[Sn(edt)_2(μ-Br)_2(μ_3-Br)_2(CuPPh_3)_4] (9) | 第33页 |
| ·[{Sn(edt)_2}_3(μ-OH)_3Cu_5(PPh_3)_8][PF_6]_2 (10) | 第33-34页 |
| ·晶体结构分析 | 第34-39页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第39-64页 |
| ·合成与反应 | 第39-43页 |
| ·含单齿配体的均硫(硒)配位单核镓(铟)化合物 | 第39-40页 |
| ·由[Ga(edt)_2]~-为金属化配体与[M(PPh_3)_2]~+(M = Cu, Ag)反应以Ga:M 为1:1 前驱物的制备 | 第40-41页 |
| ·[Sn(edt)_2]作为金属化配体的结构转换及其与Cu(I)-PPh_3成簇反应 | 第41-43页 |
| ·红外光谱分析 | 第43-44页 |
| ·核磁共振谱分析 | 第44页 |
| ·质谱分析 | 第44页 |
| ·热重分析 | 第44-46页 |
| ·电子吸收光谱 | 第46页 |
| ·分子结构的讨论 | 第46-63页 |
| ·[Et_4N][Ga(SC_6H_4Me-p)_4] (1), [Et_4N][In(SC_6H_4Me-p)_4] (2)和[Et_4N][Ga(SePh)_4]的分子结构 | 第46-49页 |
| ·[Et_4N][Ga(edt)Cl_2] (4), [Et_4N][Ga(edt)_2] (5), [Ga(edt)_2][Cu(PPh_3)_2] (6)和[Ga(edt)_2][Ag(PPh_3)_2] (7)的分子结构 | 第49-56页 |
| ·[Sn(edt)2Cl(μ-I)(μ3-I)(CuPPh3)3] (8)的分子结构 | 第56-59页 |
| ·[Sn(edt)_2(μ-Br)_2(μ_3-Br)_2(CuPPh_3)_4] (9)的分子结构 | 第59-60页 |
| ·[{Sn(edt)_2}_3(μ-OH)_3Cu_5(PPh_3)_8][PF_6]_2 (10)的分子结构 | 第60-63页 |
| ·发光性质 | 第63-64页 |
| 第四章 量子化学计算 | 第64-72页 |
| 第五章 总结与结论 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-80页 |
| 在学研究成果 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
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