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高压MOSFET Ⅰ-Ⅴ特性宏模型的建立与研究 |
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| 论文目录 |
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| 论文摘要 | 第1-7页 | | ABSTRACT | 第7-9页 | | 第一章 绪论 | 第9-14页 | | ·高压集成电路与高压MOS器件简介 | 第9-10页 | | ·高压MOSFET模型国内外研究现状 | 第10-12页 | | ·课题的意义与目标 | 第12-14页 | | 第二章 高压MOSFET工作原理 | 第14-23页 | | ·高压MOSFET的发展 | 第14-17页 | | ·高压DDDMOSFET工作原理 | 第17-20页 | | ·高压DDDMOSFET工艺流片 | 第20-23页 | | 第三章 SPICE仿真器与器件模型 | 第23-36页 | | ·器件模型简介 | 第23-26页 | | ·SPICE模型的发展 | 第26-32页 | | ·器件模型发展的挑战 | 第32-36页 | | 第四章 高压MOSFET工作机制研究 | 第36-47页 | | ·BSIM3模拟HV MOSFET的偏差 | 第36-40页 | | ·HV MOSFET的特殊效应 | 第40-44页 | | ·HV DDDMOSFET特有工作机制研究 | 第44-47页 | | 第五章 高压MOSFET I-V特性宏模型建立 | 第47-61页 | | ·高压MOSFET I-V特性宏模型子电路 | 第47-48页 | | ·宏模型子电路的工作原理分析 | 第48-50页 | | ·MESFET原理及SPICE模型 | 第50-53页 | | ·MESFET的拟合与参数表达式 | 第53-61页 | | 第六章 宏模型的实现与验证 | 第61-70页 | | ·高压DDDMOS研究数据采集与挑选 | 第61-65页 | | ·宏模型参数提取与优化 | 第65-67页 | | ·优化后的宏模型仿真结果 | 第67-70页 | | 结论与展望 | 第70-72页 | | 参考文献 | 第72-77页 | | 硕士期间发表学术论文 | 第77-78页 | | 致谢 | 第78页 |
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论文编号BS797235，这篇论文共78页
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