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MOCVD方法生长单晶ZnO、p型掺杂及同质ZnO-LED室温电致发光研究 |
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| 摘要 | 第1-9页 | | Abstract | 第9-12页 | | 第一章 前言 | 第12-15页 | | 第二章 文献综述 | 第15-40页 | | ·ZnO的基本性质 | 第15-17页 | | ·ZnO的结构形态 | 第17-23页 | | ·ZnO体单晶 | 第17-18页 | | ·ZnO薄膜 | 第18-21页 | | ·分子束外延 | 第19页 | | ·MOCVD | 第19-20页 | | ·脉冲激光沉积 | 第20-21页 | | ·溅射 | 第21页 | | ·ZnO纳米结构 | 第21-23页 | | ·ZnO的光电性能与应用 | 第23-30页 | | ·ZnO的能带结构 | 第23-25页 | | ·ZnO的光学性能 | 第25-28页 | | ·未掺杂ZnO的电学性能 | 第28-30页 | | ·ZnO的本征缺陷和掺杂 | 第30-36页 | | ·ZnO的本征缺陷 | 第30-32页 | | ·ZnO的非故意掺杂和n型掺杂 | 第32页 | | ·ZnO的p型掺杂 | 第32-36页 | | ·本征p型ZnO | 第32-33页 | | ·Ⅴ主族元素掺杂 | 第33-35页 | | ·Ⅰ族元素掺杂 | 第35页 | | ·施主-受主共掺 | 第35-36页 | | ·ZnO的p-n结及其电致发光 | 第36-40页 | | ·异质p-n结 | 第36-37页 | | ·同质p-n结 | 第37-40页 | | 第三章 MOCVD原理和工艺 | 第40-50页 | | ·MOCVD的基本原理 | 第40-42页 | | ·ZnO生长专用MOCVD系统的研制 | 第42-46页 | | ·预制MOCVD系统 | 第42-44页 | | ·配备射频等离子体的先进MOCVD系统 | 第44-46页 | | ·实验 | 第46-50页 | | ·实验原料 | 第46-48页 | | ·实验工艺过程 | 第48-49页 | | ·性能表征 | 第49-50页 | | 第四章 单晶ZnO纳米结构 | 第50-81页 | | ·单晶ZnO纳米线 | 第50-64页 | | ·生长温度对ZnO纳米线的影响 | 第50-54页 | | ·成核层对ZnO纳米线的影响 | 第54-57页 | | ·气流对ZnO纳米线的影响及其可控生长 | 第57-60页 | | ·ZnO纳米线的性能 | 第60-64页 | | ·ZnO纳米线的光学性能 | 第61-62页 | | ·ZnO纳米线的场发射性能 | 第62-64页 | | ·单晶ZnO纳米管 | 第64-73页 | | ·ZnO纳米管的SEM分析 | 第65页 | | ·ZnO纳米管的XRD分析 | 第65-67页 | | ·ZnO纳米管的TEM分析 | 第67-68页 | | ·ZnO纳米管的EDS分析 | 第68-69页 | | ·ZnO纳米管的生长机理探讨 | 第69-71页 | | ·ZnO纳米管的光学性能 | 第71-73页 | | ·ZnO纳米网络 | 第73-79页 | | ·ZnO纳米网络的SEM分析 | 第73-74页 | | ·ZnO纳米网络的XRD分析 | 第74-75页 | | ·ZnO纳米网络的TEM分析 | 第75-76页 | | ·ZnO纳米网络的EDS分析 | 第76-77页 | | ·ZnO纳米网络的生长机理探讨 | 第77-78页 | | ·ZnO纳米网络的光学性能 | 第78-79页 | | ·本章小结 | 第79-81页 | | 第五章 ZnO单晶薄膜 | 第81-92页 | | ·衬底温度对ZnO薄膜的影响 | 第81-84页 | | ·反应物流量对ZnO薄膜的影响 | 第84-86页 | | ·衬底和缓冲层对ZnO薄膜的影响 | 第86-91页 | | ·本章小结 | 第91-92页 | | 第六章 NO与N_2O混合气体掺杂制备p型ZnO薄膜 | 第92-105页 | | ·衬底温度对ZnO性能的影响 | 第92-96页 | | ·N_2O流量对ZnO性能的影响 | 第96-99页 | | ·NO和N_2O流量比对ZnO性能的影响 | 第99-100页 | | ·DEZn流量对ZnO性能的影响 | 第100-101页 | | ·掺氮ZnO薄膜的SIMS表征 | 第101-102页 | | ·NO与N_2O混合气体实现p型掺杂的机理分析 | 第102-104页 | | ·本章小结 | 第104-105页 | | 第七章 等离子体辅助生长p型ZnO薄膜 | 第105-127页 | | ·生长温度对ZnO性能的影响 | 第105-115页 | | ·生长温度对ZnO结晶和形貌特性的影响 | 第105-108页 | | ·生长温度对ZnO电学性能的影响 | 第108-111页 | | ·生长温度对ZnO光学特性的影响 | 第111-115页 | | ·射频电源功率对ZnO性能的影响 | 第115-120页 | | ·射频电源功率对ZnO结晶和形貌的影响 | 第115-117页 | | ·射频电源功率对ZnO电学性能的影响 | 第117-120页 | | ·DEZn流量对ZnO性能的影响 | 第120-123页 | | ·DEZn流量对ZnO结晶和形貌的影响 | 第120-122页 | | ·DEZn流量对ZnO电学性能的影响 | 第122-123页 | | ·关于射频等离子体辅助N掺杂制备p型ZnO的思考 | 第123-126页 | | ·本章小结 | 第126-127页 | | 第八章 同质ZnO发光二极管的制备与性能 | 第127-134页 | | ·ZnO同质p-n结的制备 | 第127-128页 | | ·欧姆接触 | 第128-129页 | | ·ZnO同质p-n结的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第129页 | | ·ZnO同质p-n结的室温电致发光特性 | 第129-132页 | | ·同质ZnO-LED电致发光性能的比较与提高思路 | 第132-133页 | | ·本章小结 | 第133-134页 | | 第九章 总结 | 第134-136页 | | 参考文献 | 第136-152页 | | 致谢 | 第152-153页 | | 博士期间发表论文和申请专利一览表 | 第153-155页 |
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论文编号BS1159736，这篇论文共155页
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