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半绝缘InP单晶的Fe掺杂激活及缺陷研究
 
     论文目录
 
摘要第1-3页
Abstract第3-7页
绪论第7-8页
1 磷化铟(InP)材料概论第8-18页
   ·磷化铟(InP)材料的基本性质及应用第8-9页
   ·磷化铟(InP)单晶材料的生长制备第9-13页
   ·半绝缘InP材料中的缺陷及其对材料性质的影响第13-17页
   ·本文研究内容第17-18页
2 InP材料的表面微缺陷研究第18-35页
   ·引言第18页
   ·InP材料表面微缺陷研究的实验方法及应用第18-24页
     ·A-B腐蚀液化学腐蚀的原理及操作第18-20页
     ·H腐蚀液化学腐蚀的原理第20-21页
     ·霍尔测量的工作原理第21-24页
   ·霍尔测量和化学腐蚀实验的具体操作过程第24-25页
   ·霍尔测量和化学腐蚀研究的实验结果分析与讨论第25-34页
   ·结论第34-35页
3 半绝缘InP的Fe掺杂激活与电学补偿研究第35-51页
   ·引言第35页
   ·半导体对光的吸收原理第35-36页
   ·霍尔测量和红外吸收测量的实验条件和处理第36-37页
   ·霍尔测量和红外吸收测量研究的实验结果与分析第37-48页
     ·SI-InP电学参数与制备条件第37-39页
     ·红外吸收测量结果第39-48页
   ·霍尔测量和红外吸收测量实验结果的讨论第48-50页
     ·原生掺Fe InP中Fe的电学激活与补偿第48页
     ·非掺退火半绝缘InP中Fe的电学激活与补偿第48-49页
     ·高温离子注入InP中Fe的电学激活与补偿第49-50页
   ·结论第50-51页
4 结论第51-53页
参考文献第53-61页
作者在读期间科研成果简介第61-63页
致谢第63页

 
 
论文编号BS1304636,这篇论文共63
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