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半绝缘InP单晶的Fe掺杂激活及缺陷研究
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半绝缘InP单晶的Fe掺杂激活及缺陷研究
论文目录
摘要
第1-3页
Abstract
第3-7页
绪论
第7-8页
1 磷化铟(InP)材料概论
第8-18页
·磷化铟(InP)材料的基本性质及应用
第8-9页
·磷化铟(InP)单晶材料的生长制备
第9-13页
·半绝缘InP材料中的缺陷及其对材料性质的影响
第13-17页
·本文研究内容
第17-18页
2 InP材料的表面微缺陷研究
第18-35页
·引言
第18页
·InP材料表面微缺陷研究的实验方法及应用
第18-24页
·A-B腐蚀液化学腐蚀的原理及操作
第18-20页
·H腐蚀液化学腐蚀的原理
第20-21页
·霍尔测量的工作原理
第21-24页
·霍尔测量和化学腐蚀实验的具体操作过程
第24-25页
·霍尔测量和化学腐蚀研究的实验结果分析与讨论
第25-34页
·结论
第34-35页
3 半绝缘InP的Fe掺杂激活与电学补偿研究
第35-51页
·引言
第35页
·半导体对光的吸收原理
第35-36页
·霍尔测量和红外吸收测量的实验条件和处理
第36-37页
·霍尔测量和红外吸收测量研究的实验结果与分析
第37-48页
·SI-InP电学参数与制备条件
第37-39页
·红外吸收测量结果
第39-48页
·霍尔测量和红外吸收测量实验结果的讨论
第48-50页
·原生掺Fe InP中Fe的电学激活与补偿
第48页
·非掺退火半绝缘InP中Fe的电学激活与补偿
第48-49页
·高温离子注入InP中Fe的电学激活与补偿
第49-50页
·结论
第50-51页
4 结论
第51-53页
参考文献
第53-61页
作者在读期间科研成果简介
第61-63页
致谢
第63页
论文编号
BS1304636
,这篇论文共
63
页
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22.05
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