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材料论文

Ge基材料改性方法与技术研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
符号对照表第12-13页
缩略语对照表第13-16页
第一章 绪论第16-28页
    1.1 研究背景与意义第16-19页
    1.2 改性Ge技术发展现状第19-26页
        1.2.1 张应变致Ge直接带隙技术第20-23页
        1.2.2 合金化致Ge直接带隙技术第23-26页
    1.3 本文的主要工作第26-28页
第二章 Ge带隙类型转变理论研究第28-46页
    2.1 Ge带隙类型转化建模第28-33页
        2.1.1 Ge半导体应变张量第28-32页
        2.1.2 Ge半导体形变势第32-33页
    2.2 Ge带隙类型转化规律第33-44页
        2.2.1 仅应力作用第33-38页
        2.2.2 合金化作用第38-42页
        2.2.3 应力与合金化共作用第42-44页
    2.3 本章小结第44-46页
第三章 兼容Si工艺的选择外延致Ge直接带隙技术研究第46-60页
    3.1 线弹性材料理论模型第46-48页
    3.2 基于COMSOL的有限元理论第48-50页
    3.3 选择外延致Ge直接带隙方案分析第50-58页
        3.3.1 有限元仿真模型建立第50-53页
        3.3.2 外延层宽度对应变强度的影响第53-54页
        3.3.3 Ge组分对应变强度的影响第54-57页
        3.3.4 Ge台阶厚度对应变分布的影响第57页
        3.3.5 选择外延致Ge直接带隙方案第57-58页
    3.4 本章小结第58-60页
第四章 改性Ge材料制备与表征第60-78页
    4.1 磁控溅射制备GeSn薄膜第60-68页
        4.1.1 实验方案第60-62页
        4.1.2 衬底温度对GeSn合金的影响第62-63页
        4.1.3 Sn靶材溅射功率对GeSn合金的影响第63-66页
        4.1.4 退火对GeSn表面粗糙度的影响第66-67页
        4.1.5 优化的GeSn合金制备方案第67-68页
    4.2 Si衬底上Ge缓冲层的制备与表征第68-77页
        4.2.1 Si衬底上Ge缓冲层的制备第68-71页
        4.2.2 Si衬底上Ge缓冲层的表征第71-77页
    4.3 本章小结第77-78页
第五章 结论与展望第78-80页
参考文献第80-86页
致谢第86-88页
作者简介第88-90页
改性Ge论文 直接带隙论文 带隙转化论文 GeSn合金论文
论文编号BS3163136,这篇论文共90
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