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硅集成电感及CMOS射频集成电路研究 |
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论文目录 |
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致谢 | 第1-4页 | 中文摘要 | 第4-11页 | 第一章 绪论 | 第11-16页 | §1.1 21世纪硅微电子技术的发展 | 第11-12页 | §1.2 通信技术热点及CMOS射频集成电路的出现 | 第12-13页 | §1.3 选题背景 | 第13-14页 | §1.4 论文的研究内容和结构 | 第14-16页 | 第二章 硅集成电感的研究状况及其应用 | 第16-27页 | §2.1 硅集成电感的结构和模型 | 第16-18页 | §2.2 集成电感的Q值 | 第18-22页 | 2.2.1 关于Q值 | 第18-19页 | 2.2.2 串、并联网络的相互转换 | 第19-20页 | 2.2.3 硅集成电感的Q值 | 第20-22页 | §2.3 硅集成电感的研究进展及提高Q值的方法 | 第22-26页 | §2.4 电感的应用 | 第26页 | §2.5 小结 | 第26-27页 | 第三章 常规平面螺旋电感的传输线模型建立与实验研究 | 第27-56页 | §3.1 S参数与传输线理论 | 第27-37页 | 3.1.1 传输线方程及其解 | 第27-31页 | 3.1.2 S参数与双端网络 | 第31-34页 | 3.1.3 双端网络参数的转换 | 第34-37页 | §3.2 常规平面螺旋型电感的设计、制备及测试 | 第37-41页 | §3.3 集成电感传输线模型与参数提取 | 第41-49页 | 3.3.1 集成电感传输线模型的建立 | 第41-42页 | 3.3.2 理想双端口传输线参数的提取 | 第42-43页 | 3.3.3 集成电感双端口传输线参数的提取 | 第43-47页 | 3.3.4 集成电感物理模型参数的提取和参数方程的建立 | 第47-49页 | §3.4 集成电感测试计算结果与讨论 | 第49-55页 | 3.4.1 集成电感的电感量的计算 | 第49-52页 | 3.4.2 集成电感Q值的计算 | 第52-54页 | 3.4.3 集成电感的串联电阻分析 | 第54-55页 | §3.5 小结 | 第55-56页 | 第四章 提高平面螺旋型集成电感Q值的新方法 | 第56-62页 | §4.1 衬底涡流模拟 | 第56-58页 | §4.2 实验 | 第58-59页 | §4.3 结果与分析 | 第59-61页 | §4.4 小结 | 第61-62页 | 第五章 新型的螺线管型集成电感的研究 | 第62-78页 | §5.1 集成电感器的结构形式 | 第62-63页 | §5.2 螺线管型集成电感的设计、工艺与测试 | 第63-71页 | 5.2.1 螺线管型集成电感的思想提出与工艺实现 | 第63-67页 | 5.2.2 螺线管型集成电感的结构优化和工艺改进 | 第67-71页 | §5.3 螺线管型集成电感的测试结果与讨论 | 第71-77页 | §5.4 小结 | 第77-78页 | 第六章 CMOS射频集成电路及器件的研究与分析 | 第78-98页 | §6.1 CMOS射频集成电路研究现状 | 第78-88页 | §6.2 射频CMOS模型 | 第88-96页 | 6.2.1 射频电路CMOS模型 | 第88-90页 | 6.2.2 现有模型比较 | 第90-91页 | 6.2.3 BSIM3模型 | 第91-94页 | 6.2.4 f_Υ | 第94-96页 | §6.3 射频无源元件 | 第96-97页 | §6.4 小结 | 第97-98页 | 第七章 CMOS分布放大器研究 | 第98-113页 | §7.1 分布放大器原理与分析 | 第98-102页 | §7.2 CMOS分布放大器的仿真设计 | 第102-105页 | §7.3 电感的设计 | 第105-106页 | §7.4 CMOS集成电路工艺 | 第106-109页 | §7.5 分布放大器测试结果与分析 | 第109-112页 | §7.6 小结 | 第112-113页 | 第八章 全文总结 | 第113-115页 | 参考文献 | 第115-131页 | 发表文章目录 | 第131页 |
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