| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-32页 |
| 1.1 VO_2作为智能玻璃用镀膜材料的可能性 | 第13-25页 |
| 1.1.1 VO_2的性质、晶体结构及相变原理 | 第13-22页 |
| 1.1.2 VO_2薄膜磁控溅射法制备的研究进展 | 第22-25页 |
| 1.2 降低VO_2薄膜相变温度的研究进展 | 第25-28页 |
| 1.3 提高VO_2薄膜可见光透过率的研究进展 | 第28-29页 |
| 1.4 提高VO_2基薄膜低辐射性能的研究进展 | 第29页 |
| 1.5 本论文的主要内容、目的和意义 | 第29-32页 |
| 第二章 反应磁控溅射法制备VO_2薄膜与性能研究 | 第32-40页 |
| 2.1 玻璃基板上直接制备VO_2薄膜及其性能 | 第32-35页 |
| 2.2 添加Si O_2隔离层的VO_2薄膜/制备与性能 | 第35-37页 |
| 2.3 添加Sn O_2介质层的VO_2薄膜制备与性能 | 第37-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 石英玻璃基板上VO_2基薄膜制备与性能研究 | 第40-81页 |
| 3.1 金属V膜厚度的优化 | 第40-50页 |
| 3.1.1 薄膜制备与表征 | 第40-41页 |
| 3.1.2 光学性能与微观结构 | 第41-49页 |
| 3.1.3 物相与分子结构表征 | 第49-50页 |
| 3.2 氧化工艺对VO_2薄膜性能的影响 | 第50-70页 |
| 3.2.1 氧化气压对VO_2薄膜性能的影响 | 第50-56页 |
| 3.2.2 氧化时间对VO_2薄膜相变性能的影响 | 第56-60页 |
| 3.2.3 氧化温度对VO_2薄膜相变性能的影响 | 第60-64页 |
| 3.2.4 升温速率对VO_2薄膜相变性能的影响 | 第64-68页 |
| 3.2.5 低压二次处理及其对VO_2薄膜相变性能的影响 | 第68-70页 |
| 3.3 W掺杂VO_2薄膜的制备与相变性能研究 | 第70-80页 |
| 3.3.1 W掺杂VO_2薄膜的制备及其光学性能 | 第70-75页 |
| 3.3.2 微观结构表征及W掺杂机理探讨 | 第75-78页 |
| 3.3.3 W:VO_2薄膜的增透 | 第78-80页 |
| 3.4 本章小结 | 第80-81页 |
| 第四章 玻璃基板上VO_2基薄膜制备与性能研究 | 第81-99页 |
| 4.1 玻璃表面金属V膜氧化法制备VO_2薄膜与性能研究 | 第81-94页 |
| 4.1.1 VO_2薄膜的厚度优化 | 第81-85页 |
| 4.1.2 金属V膜氧化气压对VO_2薄膜热致变色性能的影响 | 第85-88页 |
| 4.1.3 玻璃上W掺杂VO_2薄膜的制备与热致变色性能研究 | 第88-94页 |
| 4.2 添加Si O_2介质层的VO_2薄膜制备与性能研究 | 第94-96页 |
| 4.3 添加Si O_2介质层的W:VO_2薄膜制备与性能研究 | 第96-98页 |
| 4.4 本章小结 | 第98-99页 |
| 第五章 Low-E玻璃基板上VO_2及W掺杂VO_2薄膜制备与性能研究 | 第99-137页 |
| 5.1 薄膜的辐射率与计算方法 | 第99-100页 |
| 5.2 AZO低辐射玻璃上反应磁控溅射法制备VO_2薄膜 | 第100-104页 |
| 5.3 FTO玻璃上VO_2薄膜的制备与性能研究 | 第104-112页 |
| 5.3.1 不同厚度金属V膜VO_2薄膜/FTO玻璃的制备 | 第104-106页 |
| 5.3.2 氧化气压对VO_2薄膜相变性能的影响 | 第106-109页 |
| 5.3.3 升温速率对VO_2薄膜相变性能的影响 | 第109-110页 |
| 5.3.4 VO_2 /FTO薄膜的微观结构和物相分析 | 第110-112页 |
| 5.4 VO_2/AZO薄膜的制备与性能研究 | 第112-116页 |
| 5.4.1 氧化气压对VO_2 /AZO薄膜相变性能的影响 | 第112-114页 |
| 5.4.2 VO_2/AZO薄膜的微观结构和物相分析 | 第114-116页 |
| 5.5 VO_2 /ITO薄膜的制备与性能研究 | 第116-120页 |
| 5.5.1 氧化气压对VO_2 /ITO薄膜相变性能的影响 | 第116-119页 |
| 5.5.2 VO_2 /ITO薄膜的微观结构和物相分析 | 第119-120页 |
| 5.6 W掺杂VO_2 /Low-E薄膜的制备与性能研究 | 第120-136页 |
| 5.6.1 W掺杂VO_2/ITO薄膜的制备与性能 | 第121-126页 |
| 5.6.2 W掺杂VO_2/AZO薄膜的制备与性能 | 第126-130页 |
| 5.6.3 W掺杂VO_2/FTO薄膜的制备与研究 | 第130-132页 |
| 5.6.4 W掺杂VO_2/ITO薄膜低温处理研究 | 第132-134页 |
| 5.6.5 添加Si O_2介质层对W:VO_2/FTO薄膜性能的影响 | 第134-136页 |
| 5.7 本章小结 | 第136-137页 |
| 第六章 结论 | 第137-140页 |
| 6.1 结论 | 第137-138页 |
| 6.2 创新点和不足之处 | 第138页 |
| 6.3 展望 | 第138-140页 |
| 致谢 | 第140-141页 |
| 参考文献 | 第141-152页 |
| 附录 攻读学位期间获得的科研成果 | 第152-153页 |
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