| 摘要 | 第9-10页 |
| ABSTRACT | 第10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 课题背景与研究意义 | 第11-12页 |
| 1.2 二维过渡金属硫族化合物 | 第12-19页 |
| 1.2.1 二维过渡金属硫族化合物结构 | 第12-13页 |
| 1.2.2 二维过渡金属硫族化合物能带结构与光电特性 | 第13-15页 |
| 1.2.3 二维过渡金属硫族化合物中的激子 | 第15-19页 |
| 1.3 基于二维过渡金属硫族化物的光电子器件 | 第19-22页 |
| 1.3.1 基于二维过渡金属硫族化物的场效应管 | 第19-20页 |
| 1.3.2 基于二维过渡金属硫族化物的光源 | 第20-22页 |
| 1.4 二维材料与柔性光电子器件 | 第22-26页 |
| 1.4.1 二维过渡金属硫族化物的机械性能 | 第23-24页 |
| 1.4.2 柔性发光二极管发展现状 | 第24-25页 |
| 1.4.3 基于二维过渡金属硫化物的柔性光电调制器发展现状 | 第25-26页 |
| 1.5 本文研究内容与结构安排 | 第26-28页 |
| 第二章 单层WS_2荧光特性研究 | 第28-36页 |
| 2.1 单层WS_2在空气中的初始发光特性 | 第28-30页 |
| 2.1.1 WS_2在空气中的初始发光谱 | 第28-29页 |
| 2.1.2 利用Lorentz拟合得到激子比例 | 第29-30页 |
| 2.2 单层WS_2在泵浦光长时间照射下的荧光特性 | 第30-33页 |
| 2.2.1 单层WS_2在不同衬底上的光谱测量 | 第30-31页 |
| 2.2.2 理论分析激子比例变化原因 | 第31-32页 |
| 2.2.3 真空条件下证明空气分子对单层WS_2的荧光增强作用 | 第32-33页 |
| 2.3 单层WS_2在真空中和覆盖Al_2O_3情况下的荧光特性 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小节 | 第34-36页 |
| 第三章 基于WS_2的与CMOS工艺兼容的全光调制器 | 第36-43页 |
| 3.1 片上光互联发展背景 | 第36页 |
| 3.2 全光调制器的结构设计、加工与光场仿真 | 第36-39页 |
| 3.2.1 全光调制器的结构设计与光场仿真 | 第37-38页 |
| 3.2.2 Si_3N_4-WS_2-Al_2O_3 波导的制作 | 第38-39页 |
| 3.3 全光调制器调制器测试结果与分析 | 第39-42页 |
| 3.3.2 测试结果 | 第39-41页 |
| 3.3.3 理论分析与总结 | 第41-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 基于WS_2柔性衬底光子器件研究 | 第43-50页 |
| 4.1 将Si_3N_4 圆盘转移到PET的工艺研究 | 第43-48页 |
| 4.1.1 硅与碱腐蚀机理 | 第44页 |
| 4.1.2 通过溶解硅实现Si3N4圆盘的转移 | 第44-48页 |
| 4.2 对转移到PET上的Si3N4 圆盘的光谱测量 | 第48-49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 5.1 主要研究内容与成果 | 第50页 |
| 5.2 论文的主要创新点 | 第50-51页 |
| 5.3 后续工作计划与展望 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-61页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第61页 |
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