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单层WS2的荧光特性及其在光子集成器件中的应用与研究
 
     论文目录
 
摘要第9-10页
ABSTRACT第10页
第一章 绪论第11-28页
    1.1 课题背景与研究意义第11-12页
    1.2 二维过渡金属硫族化合物第12-19页
        1.2.1 二维过渡金属硫族化合物结构第12-13页
        1.2.2 二维过渡金属硫族化合物能带结构与光电特性第13-15页
        1.2.3 二维过渡金属硫族化合物中的激子第15-19页
    1.3 基于二维过渡金属硫族化物的光电子器件第19-22页
        1.3.1 基于二维过渡金属硫族化物的场效应管第19-20页
        1.3.2 基于二维过渡金属硫族化物的光源第20-22页
    1.4 二维材料与柔性光电子器件第22-26页
        1.4.1 二维过渡金属硫族化物的机械性能第23-24页
        1.4.2 柔性发光二极管发展现状第24-25页
        1.4.3 基于二维过渡金属硫化物的柔性光电调制器发展现状第25-26页
    1.5 本文研究内容与结构安排第26-28页
第二章 单层WS_2荧光特性研究第28-36页
    2.1 单层WS_2在空气中的初始发光特性第28-30页
        2.1.1 WS_2在空气中的初始发光谱第28-29页
        2.1.2 利用Lorentz拟合得到激子比例第29-30页
    2.2 单层WS_2在泵浦光长时间照射下的荧光特性第30-33页
        2.2.1 单层WS_2在不同衬底上的光谱测量第30-31页
        2.2.2 理论分析激子比例变化原因第31-32页
        2.2.3 真空条件下证明空气分子对单层WS_2的荧光增强作用第32-33页
    2.3 单层WS_2在真空中和覆盖Al_2O_3情况下的荧光特性第33-34页
    2.4 本章小节第34-36页
第三章 基于WS_2的与CMOS工艺兼容的全光调制器第36-43页
    3.1 片上光互联发展背景第36页
    3.2 全光调制器的结构设计、加工与光场仿真第36-39页
        3.2.1 全光调制器的结构设计与光场仿真第37-38页
        3.2.2 Si_3N_4-WS_2-Al_2O_3 波导的制作第38-39页
    3.3 全光调制器调制器测试结果与分析第39-42页
        3.3.2 测试结果第39-41页
        3.3.3 理论分析与总结第41-42页
    3.4 本章小结第42-43页
第四章 基于WS_2柔性衬底光子器件研究第43-50页
    4.1 将Si_3N_4 圆盘转移到PET的工艺研究第43-48页
        4.1.1 硅与碱腐蚀机理第44页
        4.1.2 通过溶解硅实现Si3N4圆盘的转移第44-48页
    4.2 对转移到PET上的Si3N4 圆盘的光谱测量第48-49页
    4.3 本章小结第49-50页
第五章 总结与展望第50-52页
    5.1 主要研究内容与成果第50页
    5.2 论文的主要创新点第50-51页
    5.3 后续工作计划与展望第51-52页
致谢第52-54页
参考文献第54-61页
作者在学期间取得的学术成果第61页

 
 
论文编号BS4655837,这篇论文共61
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