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基于形状各向异性CdSe/CdS量子点的发光二极管构筑与性能研究 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第4-6页 | | ABSTRACT | 第6-7页 | | 第一章 绪论 | 第10-28页 | | 1.1 量子点的合成及其基本性质 | 第10-14页 | | 1.1.1 量子点的合成 | 第10-12页 | | 1.1.2 量子点的基本性质 | 第12-14页 | | 1.2 量子点在发光二极管中的应用及其工作原理 | 第14-21页 | | 1.2.1 量子点在发光二极管中的应用 | 第14-20页 | | 1.2.2 量子点发光二极管的工作原理 | 第20-21页 | | 1.3 形状各向异性量子点在QLED中的应用 | 第21-25页 | | 1.3.1 荧光纳米片在QLED中的应用 | 第21-23页 | | 1.3.2 荧光纳米棒在QLED中的应用 | 第23-25页 | | 1.4 本论文的选题依据与论文的主要内容 | 第25-28页 | | 1.4.1 选题思路及意义 | 第25-26页 | | 1.4.2 本论文的主要内容 | 第26-28页 | | 第二章 基于超单色性荧光纳米片的QLED构筑及性能研究 | 第28-40页 | | 2.1 引言 | 第28-29页 | | 2.2 实验部分 | 第29-31页 | | 2.2.1 实验药品与试剂 | 第29页 | | 2.2.2 测试仪器 | 第29-30页 | | 2.2.3 CdSe/CdS核壳纳米片的合成 | 第30页 | | 2.2.4 NPL-LED器件的制备 | 第30-31页 | | 2.3 结果与讨论 | 第31-39页 | | 2.3.1 CdSe/CdS核壳纳米片的表征 | 第31-33页 | | 2.3.2 使用CdSe/CdS荧光纳米片作为发光层构筑绿色QLED | 第33-37页 | | 2.3.3 QLED的性能表征 | 第37-39页 | | 2.4 本章小结 | 第39-40页 | | 第三章 基于高性能荧光纳米棒的QLED构筑及性能研究 | 第40-50页 | | 3.1 引言 | 第40页 | | 3.2 实验部分 | 第40-41页 | | 3.2.1 实验药品与试剂 | 第40-41页 | | 3.2.2 CdSe/CdS核壳纳米棒的合成 | 第41页 | | 3.3 结果与讨论 | 第41-48页 | | 3.3.1 CdSe/CdS核壳纳米棒的表征 | 第41-45页 | | 3.3.2 使用CdSe/CdS荧光纳米棒作为发光层构筑红色QLED | 第45-48页 | | 3.4 本章小结 | 第48-50页 | | 第四章 总结与展望 | 第50-52页 | | 4.1 总结 | 第50-51页 | | 4.2 展望 | 第51-52页 | | 参考文献 | 第52-60页 | | 硕士期间完成的工作 | 第60-62页 | | 致谢 | 第62-63页 |
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论文编号BS3167638，这篇论文共63页
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