logo
教育论文中心  教育论文中心   广告服务  广告服务   论文搜索  论文搜索   论文发表  论文发表   会员专区  会员专区   在线购卡   在线购卡   服务帮助  服务帮助   联系我们  联系我们   网站地图  网站地图   硕士论文  会员专区   博士论文
当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--Ⅲ-Ⅴ族含硼四元光电子材料的理论与实验研究
博硕论文分类列表
工业技术 交通运输 农业科学
生物科学 航空航天 历史地理
医学卫生 语言文字 环境科学
综合图书 政治法律 社会科学
马列主义、毛泽东思想 艺术
数理科学和化学 文学
天文学、地理科学 军事
文化科学、教育体育 经济
自然科学总论 哲学
查看更多分类
 
论文搜索
 
 
相关论文
半导体量子点光放大器的理论研究与
OFDM系统信道估计研究及其实现
硅基光电子材料和稀磁材料计算设
薄膜技术在光电子器件中应用
含硼光电子材料第一性原理计算及
含硼生铁脱硫预处理热模拟实验研究
新型含硼聚硅氧烷合成及其膨胀
含硼金刚石粉末微电极电化学性能
含硼富燃固体推进剂工艺和燃烧性
含硼富燃料推进剂一次燃烧性能研究
含硼钛合金高温变形及组织性能研究
含硼金刚石钎焊工具制作及性能评价
新型含硼苯基膦酸酯阻燃剂合成及
含硼聚乙炔衍生物合成及其氟离子
一种新型含硼表面活性剂合成
Fe-Ni-C-B系高温高压合成
含硼高炉钛渣粘性特征结构研究
含硼生铁为添加剂硼钢制备和
含硼金刚石单晶微观结构性能表
铁基触媒合成含硼金刚石组织结构
含硼S355J2钢板试生产及性
含硼金刚石聚晶高温高压合成及性
新型含硼润滑油添加剂制备及其摩擦
吉南含硼岩系地球化学特征
铁基触媒合成含硼金刚石及其电学性
含硼铁精矿阶段还原—高效分选基础
 
科目列表
市场营销 管理理论 人力资源
电子商务 社会实践 先进教育
伦理道德 艺术理论 环境保护
农村研究 交通相关 烟草论文
电子电气 财务分析 融资决策
电影艺术 国学论文 材料工程
语文论文 数学论文 英语论文
政治论文 物理论文 化学论文
生物论文 美术论文 历史论文
地理论文 信息技术 班主任
音乐论文 体育论文 劳技论文
自然论文 德育管理 农村教育
素质教育 三个代表 旅游管理
国际贸易 哲学论文 工商管理
证券金融 社会学 审计论文
会计论文 建筑论文 电力论文
水利论文 园林景观 农林学
中医学 西医学 心理学
公安论文 法学法律 思想汇报
法律文书 总结报告 演讲稿
物业管理 经济学 论文指导
计算机 护理论文 社会调查
军事论文 化工论文 财政税收
保险论文 物流论文 语言教育
教育教学 给水排水 暖通论文
结构论文 综合类别 硕士论文
博士论文    
 
 
Ⅲ-Ⅴ族含硼四元光电子材料的理论与实验研究
 
     论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-8页
目录第8-9页
符号说明第9-10页
第一章 绪论第10-14页
   ·研究背景和意义第10-11页
   ·论文的组织结构第11-13页
 参考文献第13-14页
第二章 Si基BGaNAs四元合金的理论研究第14-34页
   ·第一性原理和CASTEP简介第15-18页
     ·第一性原理第15-17页
     ·CASTEP计算软件包第17-18页
   ·二元系Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物的理论计算第18-20页
     ·BN、GaN、BAs、GaAs的晶格常数第18页
     ·BN、GaN、BAs、GaAs的带隙特性第18-20页
   ·三元系Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物的理论计算第20-27页
     ·B_xGa_(1-x)N的第一性原理计算第20-25页
     ·BN_xAs_(1-x)的第一性原理计算第25-26页
     ·B_xGa_(1-x)As和GaAs_(1-x)N_x的第一性原理计算第26-27页
   ·四元系Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物B_xGa_(1-x)N_yAs_(1-y)的理论计算第27-30页
   ·本章小结第30-31页
 参考文献第31-34页
第三章 GaAs基BGaInAs/GaAs高应变多量子阱的实验研究第34-57页
   ·MOCVD生长和材料特性表征简介第35-41页
     ·MOCVD设备原理第35-36页
     ·荧光光谱仪(PL谱)第36-38页
     ·X射线双晶衍射仪(DCXRD)第38-41页
   ·InGaAs/GaAs高应变多量子阱的生长实验第41-49页
     ·InGaAs/GaAs多量子阱的生长方案第41-42页
     ·探索InGaAs/GaAs多量子阱最优化生长温度第42-45页
     ·探索TMIn源流量对InGaAs阱层中In并入比的影响第45-49页
   ·掺B的InGaAs/GaAs高应变多量子阱的生长实验第49-54页
     ·确定(B)InGaAs高应变多量子阱的生长方案第49页
     ·探讨TEB源对InGaAs多量子阱层中B并入比的影响第49-52页
     ·探讨TEB源固定时,TMIn源对多量子阱特性的影响第52-54页
   ·本章小结第54-55页
 参考文献第55-57页
致谢第57-59页
攻读硕士学位期间发表的论文第59页

 
 
论文编号BS388,这篇论文共59
会员购买按0.35元/页下载,共需支付20.65元。        直接购买按0.5元/页下载,共需要支付29.5元 。
我还不是会员,注册会员
会员下载更优惠!充值送钱!
我只需要这篇,无需注册!
直接网上支付,方便快捷!
 您可能感兴趣的论文
论文标题页/字数分类
PPV/n-型材料复合纳米纤维和薄膜荧光及光电转换特性研究104页博士论文
含硼生铁实现碳锰钢硼微合金化及钢组织性能演变规律研究216页博士论文
强激光场中类氢原子光电子动量分布85页硕士论文
浅谈纳米光电子器件发展现状2967字期刊论文
碳、硼含量对含硼高速钢轧辊材料组织和性能影响56页硕士论文
含硼金刚石单晶微观品质半导体性能相关性研究59页硕士论文
含硼二元团簇几何结构成键特征研究118页博士论文
新型含硼水泥熟料制备及防辐射性能研究72页硕士论文
含硼离子液体合成、表征及其在硼磷酸盐合成中应用88页硕士论文
新型含硼季铵盐合成及在焦炭节能中应用研究58页硕士论文
版权申明:本目录由www.jylw.com网站制作,本站并未收录原文,如果您是作者,需要删除本篇论文目录请通过QQ或其它联系方式告知我们,我们承诺24小时内删除。
 
 
| 会员专区 | 在线购卡 | 广告服务 | 网站地图 |
版权所有 教育论文中心 Copyright(C) All Rights Reserved
联系方式: QQ:277865656 或写信给我