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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--Ⅲ-Ⅴ族含硼四元光电子材料的理论与实验研究
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Ⅲ-Ⅴ族含硼四元光电子材料的理论与实验研究
 
     论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-8页
目录第8-9页
符号说明第9-10页
第一章 绪论第10-14页
   ·研究背景和意义第10-11页
   ·论文的组织结构第11-13页
 参考文献第13-14页
第二章 Si基BGaNAs四元合金的理论研究第14-34页
   ·第一性原理和CASTEP简介第15-18页
     ·第一性原理第15-17页
     ·CASTEP计算软件包第17-18页
   ·二元系Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物的理论计算第18-20页
     ·BN、GaN、BAs、GaAs的晶格常数第18页
     ·BN、GaN、BAs、GaAs的带隙特性第18-20页
   ·三元系Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物的理论计算第20-27页
     ·B_xGa_(1-x)N的第一性原理计算第20-25页
     ·BN_xAs_(1-x)的第一性原理计算第25-26页
     ·B_xGa_(1-x)As和GaAs_(1-x)N_x的第一性原理计算第26-27页
   ·四元系Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物B_xGa_(1-x)N_yAs_(1-y)的理论计算第27-30页
   ·本章小结第30-31页
 参考文献第31-34页
第三章 GaAs基BGaInAs/GaAs高应变多量子阱的实验研究第34-57页
   ·MOCVD生长和材料特性表征简介第35-41页
     ·MOCVD设备原理第35-36页
     ·荧光光谱仪(PL谱)第36-38页
     ·X射线双晶衍射仪(DCXRD)第38-41页
   ·InGaAs/GaAs高应变多量子阱的生长实验第41-49页
     ·InGaAs/GaAs多量子阱的生长方案第41-42页
     ·探索InGaAs/GaAs多量子阱最优化生长温度第42-45页
     ·探索TMIn源流量对InGaAs阱层中In并入比的影响第45-49页
   ·掺B的InGaAs/GaAs高应变多量子阱的生长实验第49-54页
     ·确定(B)InGaAs高应变多量子阱的生长方案第49页
     ·探讨TEB源对InGaAs多量子阱层中B并入比的影响第49-52页
     ·探讨TEB源固定时,TMIn源对多量子阱特性的影响第52-54页
   ·本章小结第54-55页
 参考文献第55-57页
致谢第57-59页
攻读硕士学位期间发表的论文第59页

 
 
论文编号BS388,这篇论文共59
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