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基于平面硅纳米线的高性能鳍形栅薄膜晶体管器件 |
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| 摘要 | 第4-7页 | | Abstract | 第7-8页 | | 第一章 绪论 | 第12-33页 | | 1.1 引言 | 第12页 | | 1.2 平板显示技术基础 | 第12-17页 | | 1.2.1 平板显示技术的发展历史 | 第12-15页 | | 1.2.2 液晶显示技术(TFT-LCD)的基本原理及结构 | 第15-17页 | | 1.3 薄膜晶体管(Thin Film Transistor)的研究进展 | 第17-24页 | | 1.3.1 非晶硅材料(a-Si) | 第18-19页 | | 1.3.2 低温多晶硅材料(LTPS) | 第19-20页 | | 1.3.3 铟镓锌氧化物材料(IGZO) | 第20-22页 | | 1.3.4 新型纳米材料的应用 | 第22-24页 | | 1.4 硅纳米线材料研究进展 | 第24-27页 | | 1.4.1 硅纳米线材料研究背景 | 第24-25页 | | 1.4.2 硅纳米线材料发展现状与前沿研究 | 第25-26页 | | 1.4.3 硅纳米线材料面临的主要挑战 | 第26-27页 | | 1.5 平面硅纳米线材料概述 | 第27-28页 | | 1.6 本文的研究思路和主要内容 | 第28-30页 | | 参考文献 | 第30-33页 | | 第二章 平面纳米线的生长机理和引导调控 | 第33-57页 | | 2.1 引言 | 第33-34页 | | 2.2 IPSLS平面纳米线的生长调控 | 第34-44页 | | 2.2.1 平面纳米线的制备 | 第34-35页 | | 2.2.2 平面纳米线的表征 | 第35-36页 | | 2.2.3 平面纳米线的生长机理 | 第36-38页 | | 2.2.4 平面纳米线的生长调控 | 第38-44页 | | 2.3 IPSLS平面纳米线的引导调控 | 第44-53页 | | 2.3.1 平面纳米线的引导生长 | 第45-48页 | | 2.3.2 平面纳米线的引导生长模型 | 第48-52页 | | 2.3.3 平面纳米线的引导生长调控 | 第52-53页 | | 2.4 本章小结 | 第53-55页 | | 参考文献 | 第55-57页 | | 第三章 纳米液滴扫描法制备大规模高性能薄膜晶体管 | 第57-76页 | | 3.1 引言 | 第57-58页 | | 3.2 样品制备及表征 | 第58-64页 | | 3.2.1 纳米液滴扫描法制备的平面硅纳米线阵列 | 第58-60页 | | 3.2.2 平面硅纳米线阵列的表征和统计 | 第60-61页 | | 3.2.3 平面硅纳米线阵列制备薄膜晶体管器件 | 第61-64页 | | 3.3 结果与讨论 | 第64-73页 | | 3.3.1 薄膜晶体管的电学性能 | 第64-67页 | | 3.3.2 薄膜晶体管的光学性能 | 第67-68页 | | 3.3.3 薄膜晶体管的分析与讨论 | 第68-73页 | | 3.4 本章小结 | 第73-74页 | | 参考文献 | 第74-76页 | | 第四章 多通道纳米线薄膜晶体管器件 | 第76-101页 | | 4.1 引言 | 第76-78页 | | 4.2 样品制备及表征 | 第78-82页 | | 4.2.1 多通道纳米线的制备流程 | 第78-79页 | | 4.2.2 多通道纳米线的形貌表征和统计 | 第79-80页 | | 4.2.3 多通道纳米线薄膜晶体管器件的制备 | 第80-82页 | | 4.3 结果与讨论 | 第82-99页 | | 4.3.1 多通道纳米线的特殊引导调控 | 第82-88页 | | 4.3.2 多通道纳米线内应力的分析和讨论 | 第88-94页 | | 4.3.3 多通道纳米线薄膜晶体管电学性质和讨论 | 第94-99页 | | 4.4 本章总结 | 第99-100页 | | 参考文献 | 第100-101页 | | 第五章 总结和展望 | 第101-105页 | | 5.1 本论文主要工作总结 | 第101-103页 | | 5.2 未来工作的展望 | 第103-105页 | | 攻读硕士期间取得的成果 | 第105-107页 | | 致谢 | 第107-110页 |
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论文编号BS4655838，这篇论文共110页
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