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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--微波ECRCVD制备a-C:F:H薄膜的结构与性能研究
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微波ECRCVD制备a-C:F:H薄膜的结构与性能研究
 
     论文目录
 
中文摘要第1-10页
英文摘要第10-12页
第一章 绪论第12-28页
 §1.1 微波电子回旋共振(ECR)等离子体第12-17页
  1.1.1 电子回旋共振等离子体的特点第12-13页
  1.1.2 电子回旋共振等离子体的基本原理第13-17页
 §1.2 氟化非晶碳薄膜的研究概况第17-23页
  1.2.1 研究背景第17-18页
  1.2.2 低介电常数的薄膜材料第18-19页
  1.2.3 a-C:F:H薄膜的研究概况第19-23页
 §1.3 本文的主要研究内容第23-24页
 参考文献第24-28页
第二章 ECR等离子体中基片刻蚀与薄膜的沉积第28-41页
 §2.1 引言第28页
 §2.2 微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积装置第28-30页
 §2.3 不同前驱气体下Si和SiO_2表面刻蚀与薄膜的沉积第30-32页
 §2.4 ECR等离子体的刻蚀第32-39页
  2.4.1 等离子体的刻蚀过程第32-34页
  2.4.2 等离子体组成及其反应第34-35页
  2.4.3 刻蚀的各向异性第35-36页
  2.4.4 刻蚀的选择性第36-39页
 §2.5 本章小结第39-40页
 参考文献第40-41页
第三章 a-C:F:H薄膜的制备、结构与性能的表征第41-53页
 §3.1 引言第41页
 §3.2 基片预处理第41-42页
 §3.3 ECRCVD法制备a-C:F:H薄膜第42-43页
 §3.4 a-C:F:H薄膜的结构和性能表征方法第43-51页
  3.4.1 傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR)第43-45页
  3.4.2 X射线光电子能谱(XPS)第45-48页
  3.4.3 紫外及可见光谱(UV-VIS)第48-51页
  3.4.4 X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM)第51页
  3.4.5 阻抗分析仪,小电流测试仪,台阶仪第51页
 §3.5 本章小结第51-52页
 参考文献第52-53页
第四章 ECRCVD工艺参量对a-C:F:H薄膜的结构影响第53-77页
 §4.1 引言第53页
 §4.2 前驱气体的种类及其流量比第53-62页
  4.2.1 CH_4/CHF_3第53-58页
  4.2.2 C_2H_2/CHF_3第58-60页
  4.2.3 C_6H_6/CHF_3第60-62页
 §4.3 沉积气压第62-65页
 §4.4 基片的位置第65-68页
 §4.5 微波输入功率第68-72页
 §4.6 ECRCVD法制备a-C:F:H薄膜的生长模型第72-73页
 §4.7 本章小结第73-74页
 参考文献第74-77页
第五章 a-C:F:H薄膜的介电性及其热稳定性第77-92页
 §5.1 引言第77页
 §5.2 a-C:F:H薄膜的介电频谱第77-81页
 §5.3 a-C:F:H薄膜的热稳定性第81-89页
  5.3.1 源气体为CHF_3/CH_4所制备的薄膜的热稳定性第81-86页
  5.3.2 源气体为CHF_3/C_6H_6所制备的薄膜的热稳定性第86-89页
 §5.4 本章小结第89-90页
 参考文献第90-92页
第六章 a-C:F:H、a-C:H薄膜的电学性质第92-104页
 §6.1 引言第92页
 §6.2 a-C/a-C:F:H/a-C夹心结构的电学特性第92-99页
  6.2.1 MIM和MIS结构的制作第92-94页
  6.2.2 a-C/a-C:F:H/a-C结构的介电常数第94-95页
  6.2.3 a-C/a-C:F:H/a-C结构的Ⅰ-Ⅴ特性第95-96页
  6.2.4 a-C/a-C:F:H/a-C结构在高频下的电容-电压(C-V)特性第96-99页
 §6.3 a-C:H薄膜的电学特性第99-102页
 §6.4 本章小结第102页
 参考文献第102-104页
第七章 结论第104-105页
发表学术论文列表第105-106页
论文创新性说明第106-107页
致谢第107页

 
 
论文编号BS853739,这篇论文共107
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