中文摘要 | 第1-10页 |
英文摘要 | 第10-12页 |
第一章 绪论 | 第12-28页 |
§1.1 微波电子回旋共振(ECR)等离子体 | 第12-17页 |
1.1.1 电子回旋共振等离子体的特点 | 第12-13页 |
1.1.2 电子回旋共振等离子体的基本原理 | 第13-17页 |
§1.2 氟化非晶碳薄膜的研究概况 | 第17-23页 |
1.2.1 研究背景 | 第17-18页 |
1.2.2 低介电常数的薄膜材料 | 第18-19页 |
1.2.3 a-C:F:H薄膜的研究概况 | 第19-23页 |
§1.3 本文的主要研究内容 | 第23-24页 |
参考文献 | 第24-28页 |
第二章 ECR等离子体中基片刻蚀与薄膜的沉积 | 第28-41页 |
§2.1 引言 | 第28页 |
§2.2 微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积装置 | 第28-30页 |
§2.3 不同前驱气体下Si和SiO_2表面刻蚀与薄膜的沉积 | 第30-32页 |
§2.4 ECR等离子体的刻蚀 | 第32-39页 |
2.4.1 等离子体的刻蚀过程 | 第32-34页 |
2.4.2 等离子体组成及其反应 | 第34-35页 |
2.4.3 刻蚀的各向异性 | 第35-36页 |
2.4.4 刻蚀的选择性 | 第36-39页 |
§2.5 本章小结 | 第39-40页 |
参考文献 | 第40-41页 |
第三章 a-C:F:H薄膜的制备、结构与性能的表征 | 第41-53页 |
§3.1 引言 | 第41页 |
§3.2 基片预处理 | 第41-42页 |
§3.3 ECRCVD法制备a-C:F:H薄膜 | 第42-43页 |
§3.4 a-C:F:H薄膜的结构和性能表征方法 | 第43-51页 |
3.4.1 傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR) | 第43-45页 |
3.4.2 X射线光电子能谱(XPS) | 第45-48页 |
3.4.3 紫外及可见光谱(UV-VIS) | 第48-51页 |
3.4.4 X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM) | 第51页 |
3.4.5 阻抗分析仪,小电流测试仪,台阶仪 | 第51页 |
§3.5 本章小结 | 第51-52页 |
参考文献 | 第52-53页 |
第四章 ECRCVD工艺参量对a-C:F:H薄膜的结构影响 | 第53-77页 |
§4.1 引言 | 第53页 |
§4.2 前驱气体的种类及其流量比 | 第53-62页 |
4.2.1 CH_4/CHF_3 | 第53-58页 |
4.2.2 C_2H_2/CHF_3 | 第58-60页 |
4.2.3 C_6H_6/CHF_3 | 第60-62页 |
§4.3 沉积气压 | 第62-65页 |
§4.4 基片的位置 | 第65-68页 |
§4.5 微波输入功率 | 第68-72页 |
§4.6 ECRCVD法制备a-C:F:H薄膜的生长模型 | 第72-73页 |
§4.7 本章小结 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-77页 |
第五章 a-C:F:H薄膜的介电性及其热稳定性 | 第77-92页 |
§5.1 引言 | 第77页 |
§5.2 a-C:F:H薄膜的介电频谱 | 第77-81页 |
§5.3 a-C:F:H薄膜的热稳定性 | 第81-89页 |
5.3.1 源气体为CHF_3/CH_4所制备的薄膜的热稳定性 | 第81-86页 |
5.3.2 源气体为CHF_3/C_6H_6所制备的薄膜的热稳定性 | 第86-89页 |
§5.4 本章小结 | 第89-90页 |
参考文献 | 第90-92页 |
第六章 a-C:F:H、a-C:H薄膜的电学性质 | 第92-104页 |
§6.1 引言 | 第92页 |
§6.2 a-C/a-C:F:H/a-C夹心结构的电学特性 | 第92-99页 |
6.2.1 MIM和MIS结构的制作 | 第92-94页 |
6.2.2 a-C/a-C:F:H/a-C结构的介电常数 | 第94-95页 |
6.2.3 a-C/a-C:F:H/a-C结构的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第95-96页 |
6.2.4 a-C/a-C:F:H/a-C结构在高频下的电容-电压(C-V)特性 | 第96-99页 |
§6.3 a-C:H薄膜的电学特性 | 第99-102页 |
§6.4 本章小结 | 第102页 |
参考文献 | 第102-104页 |
第七章 结论 | 第104-105页 |
发表学术论文列表 | 第105-106页 |
论文创新性说明 | 第106-107页 |
致谢 | 第107页 |