| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·III-V族半导体的基本性质和应用 | 第10-11页 |
| ·Ge衬底上外延III-V族半导体 | 第11-12页 |
| ·Ge基太阳能电池中的研究进展及主要技术问题 | 第12-15页 |
| ·本论文的研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 实验设备及测试技术 | 第17-27页 |
| ·金属有机气相外延(MOVPE)概述 | 第17-18页 |
| ·分子束外延(MBE)系统概述 | 第18-20页 |
| ·光荧光谱(photoluminescence, PL) | 第20-21页 |
| ·透射电子显微镜(transmission electron microscopy, TEM) | 第21-23页 |
| ·高分辨X射线衍射(high resolution X-ray diffraction, HRXRD) | 第23-24页 |
| ·拉曼光谱(Raman spectra) | 第24-25页 |
| ·原子力显微镜(Atomic force microscope, AFM) | 第25-27页 |
| 第三章 Ge基III-V族半导体能源材料MOVPE的生长与性能研究 | 第27-43页 |
| ·GaInP材料中的有序结构简介 | 第27-29页 |
| ·影响GaInP有序结构的因素概述 | 第29-31页 |
| ·基于MOVPE技术生长的Ge基Ga InP材料性质研究 | 第31-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 Ge基III-V族半导体能源材料MBE的生长与性能研究 | 第43-61页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·MBE技术中Ge衬底预处理 | 第43-44页 |
| ·MBE制备Ga As/Ge的研究 | 第44-50页 |
| ·用 MBE 在 Ge 基上外延 Ga In P | 第50-58页 |
| ·本章小结 | 第58-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-71页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
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