| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料概述 | 第9-11页 |
| 1.2 In_xGa_(1-x)As材料的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 薄膜材料外延生长技术介绍 | 第13-16页 |
| 1.3.1 金属有机化学气相沉积法（MOCVD） | 第14-15页 |
| 1.3.2 分子束外延法（MBE） | 第15-16页 |
| 1.4 薄膜材料的外延生长过程 | 第16-17页 |
| 1.5 In_xGa_(1-x)As薄膜材料中的缺陷 | 第17-19页 |
| 1.6 In_xGa_(1-x)As薄膜材料中的失配应力 | 第19-20页 |
| 1.7 半导体超晶格介绍 | 第20-21页 |
| 1.8 本文研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 样品的制备与表征 | 第23-31页 |
| 2.1 实验材料与设备 | 第23-24页 |
| 2.2 In_xGa_(1-x)As/InP样品的制备 | 第24-26页 |
| 2.3 TEM样品的制备 | 第26-27页 |
| 2.4 显微结构和性能表征 | 第27-31页 |
| 2.4.1 透射电子显微镜（TEM） | 第27-28页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第28页 |
| 2.4.3 原子力显微镜（AFM） | 第28-29页 |
| 2.4.4 X射线衍射（XRD） | 第29页 |
| 2.4.5 拉曼光谱（Raman spectra） | 第29页 |
| 2.4.6 霍尔效应（Hall effect） | 第29-31页 |
| 第三章 In组分含量对外延层微观结构和性能的影响 | 第31-49页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 X射线衍射（XRD）分析 | 第31-32页 |
| 3.3 In组分含量对外延层表面形貌及结晶质量的影响 | 第32-37页 |
| 3.3.1 In组分含量对外延层表面形貌的影响 | 第32-36页 |
| 3.3.2 In组分含量对外延层结晶质量的影响 | 第36-37页 |
| 3.4 In组分含量对外延层微观结构的影响 | 第37-42页 |
| 3.5 In组分含量对外延层位错密度的影响 | 第42-46页 |
| 3.6 In组分含量对外延层载流子浓度的影响 | 第46-48页 |
| 3.7 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 生长条件对高In组分In_xGa_(1-x)As外延层结构的影响 | 第49-59页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 不同外延层厚度对样品微观结构的影响 | 第49-52页 |
| 4.2.1 截面微观形貌 | 第49-50页 |
| 4.2.2 位错密度 | 第50-52页 |
| 4.3 递变缓冲层对样品微观结构的影响 | 第52-55页 |
| 4.3.1 TEM微观形貌分析 | 第52-53页 |
| 4.3.2 递变缓冲层微观结构分析 | 第53-55页 |
| 4.4 超晶格对样品位错类型的影响 | 第55-56页 |
| 4.4.1 超晶格微观结构分析 | 第55-56页 |
| 4.4.2 DGSL_(-1)结构中的位错类型分析 | 第56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
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