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InN以及高In组分InAIN材料的制备及相关器件的研究
 
     论文目录
 
摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第8-19页
    1.1 引言第8-10页
    1.2 InN 材料的基本性质第10-14页
        1.2.1 InN 的晶体结构第10-11页
        1.2.2 InN 材料的电学性质第11-12页
        1.2.3 InN 材料的能带结构和光学性质第12-14页
    1.3 InN 材料的研究背景及进展第14-16页
    1.4 InAlN 合金材料第16-17页
    1.5 本论文的研究方向第17-19页
第二章 InN 生长和表征设备介绍第19-27页
    2.1 引言第19页
    2.2 InN 生长设备——MBE第19-22页
        2.2.1 MBE 的基本原理第19-20页
        2.2.2 本论文中用到的 MBE 设备介绍第20-22页
    2.3 InN 表征技术及设备第22-27页
        2.3.1 晶体结构表征-XRD第22-23页
        2.3.2 形貌表征-扫描电子显微镜第23-25页
        2.3.3 电学特性表征-霍尔效应第25-26页
        2.3.4 光学特性表征第26-27页
第三章 生长参数对 InAlN 材料铝组分及晶体质量的影响第27-36页
    3.1 序言第27页
    3.2 铝源温度与 InAlN 材料组分的关系第27-28页
    3.3 氮气流量与 InAlN 材料组分的关系第28-29页
    3.4 衬底温度对 InAlN 合金材料特性的关系第29-32页
    3.5 合金组分与其禁带宽度的关系第32-34页
    3.6 本章总结第34-36页
第四章 InN 及 InAlN 异质结器件的制备与特性研究第36-45页
    4.1 序言第36页
    4.2 器件制备第36页
    4.3 器件的基本特性表征第36-38页
    4.4 器件的电学特性第38-39页
    4.5 器件的能带结构示意图第39-40页
    4.6 器件的光电特性研究第40-44页
    4.7 总结第44-45页
结论第45-46页
参考文献第46-50页
攻读硕士学位期间发表的论文第50-52页
致谢第52页

 
 
论文编号BS3580604,这篇论文共52
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