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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--柔性硅基MOS电容制备及特性研究
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柔性硅基MOS电容制备及特性研究
 
     论文目录
 
摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
符号对照表第11-13页
缩略语对照表第13-16页
第一章 绪论第16-24页
    1.1 引言第16-17页
    1.2 课题的研究目的和意义第17-19页
    1.3 国内外研究概况第19-21页
    1.4 论文的主要研究内容与结构安排第21-24页
第二章 柔性MOS电容特性的基础理论第24-38页
    2.1 MOS电容的电学特性第24-27页
        2.1.1 MOS电容结构第24-25页
        2.1.2 MOS电容的理想C-V特性第25-27页
    2.2 MOS系统中的电荷组成及表征第27-33页
        2.2.1 MOS系统中的电荷组成第27-30页
        2.2.2 界面陷阱电荷密度的计算第30-32页
        2.2.3 提取硅基MOS电容的电学参数第32-33页
    2.3 转印理论第33-36页
    2.4 本章小结第36-38页
第三章 柔性硅基电容制备的关键工艺第38-50页
    3.1 基于柔性衬底MOS电容的版图设计第38-39页
    3.2 实验具体流程第39-42页
    3.3 功能薄膜层的制作第42-45页
        3.3.1 刻蚀孔干法刻蚀工艺第42-43页
        3.3.2 牺牲层湿法刻蚀第43-45页
        3.3.3 转印方法及优化设计第45页
    3.4 AFM、SEM及椭偏仪测试第45-49页
        3.4.1 原子力显微镜测试第45-47页
        3.4.2 扫描电子显微镜测试第47-48页
        3.4.3 椭偏仪测试第48-49页
    3.5 本章小结第49-50页
第四章 硅基MOS电容的电容特性研究第50-64页
    4.1 C-V测试及结果分析第50-61页
        4.1.1 汞探针C-V测外延掺杂浓度第50-51页
        4.1.2 平整状态下的硅基柔性电容特性分析第51-54页
        4.1.3 弯曲状态下的硅基柔性电容第54-61页
    4.2 I-V测试及结果分析第61-62页
    4.3 本章小结第62-64页
第五章 总结和展望第64-66页
    5.1 总结第64-65页
    5.2 展望第65-66页
参考文献第66-70页
致谢第70-72页
作者简介第72-73页

 
 
论文编号BS4083654,这篇论文共73
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