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InN纳米线反常输运性质研究
论文目录
摘要
第1-10页
ABSTRACT
第10-12页
第一章 前言
第12-25页
·InN材料的基本性质
第13-14页
·InN材料的制备
第14-15页
·InN材料的电学特性
第15-18页
·InN材料的光学特性
第18-21页
·InN材料的最新应用
第21-22页
·本论文的内容
第22-23页
参考文献
第23-25页
第二章 InN纳米线的反常输运
第25-39页
·InN纳米线的反常输运现象
第25-27页
·杂质原子散射模型
第27-29页
·接触电阻R_c
第29-34页
·TLM模型
第29-32页
·InN纳米线的L_T及接触电阻
第32-34页
·高浓度的表面电子积累层
第34-37页
·InN材料的独特性质——表面电子积累层
第34-36页
·InN纳米线中的两种传导方式
第36-37页
·小结
第37-38页
参考文献
第38-39页
第三章 高浓度的表面电子积累层对InN纳米线输运性质的影响
第39-47页
·InN纳米线中的平均载流子浓度
第39-40页
·平均载流子浓度与迁移率的关系
第40-41页
·InN纳米线的电导率与直径的关系
第41-42页
·InN纳米线的总电导与直径的关系
第42-44页
·小结
第44-46页
参考文献
第46-47页
第四章 总结与展望
第47-49页
致谢
第49-50页
学位论文评阅及答辩情况表
第50页
论文编号
BS825904
,这篇论文共
50
页
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