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当前位置：教育论文中心首页--硕士论文--湿法刻蚀与清洗中晶圆缺陷问题的研究
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湿法刻蚀与清洗中晶圆缺陷问题的研究
 
     论文目录
 
中文摘要第1-4页
ABSTRACT第4-6页
第一章 绪论第6-12页
   ·微电子技术的介绍第6-8页
   ·集成电路的介绍第8-9页
   ·半导体制造流程简介第9-10页
   ·研究湿法刻蚀和清洗中晶圆缺陷问题的重要性第10-11页
   ·课题内容、背景与意义第11-12页
第二章 湿法刻蚀与清洗工艺流程第12-19页
   ·湿法刻蚀与清洗的简单介绍第12-13页
   ·湿法刻蚀的分类第13-16页
   ·湿法清洗的分类第16-19页
第三 章湿法刻蚀与清洗所需的物质第19-27页
   ·刻蚀液第19-20页
   ·清洗液第20-21页
   ·去离子水第21-22页
   ·异丙醇第22页
   ·刻蚀清洗机第22-27页
第四章 湿法刻蚀和清洗的重要参数第27-29页
   ·刻蚀速率第27页
   ·选择比第27-28页
   ·均匀性第28-29页
第五章 晶圆缺陷问题的研究第29-42页
   ·多晶硅膜残留缺陷的研究第29-31页
   ·线形光刻胶附着物缺陷的研究第31-34页
   ·晶圆圆心厚度缺陷的研究第34-37页
   ·单晶硅膜孔洞缺陷的研究第37-42页
第六章 结论与意义第42-43页
参考文献第43-44页
发表论文和科研情况说明第44-45页
致谢第45页
 
 
论文编号BS2203940，这篇论文共45页
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