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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--60V 功率U-MOSFET失效分析与再设计
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60V 功率U-MOSFET失效分析与再设计
 
     论文目录
 
摘要第6-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第10-17页
    1.1 功率MOSFET研究背景与意义第10-11页
    1.2 功率MOSFET研究现状第11-16页
        1.2.1 功率MOSFET的发展过程第11-14页
        1.2.2 功率MOSFET的国内外研究现状第14-16页
    1.3 本文的主要工作第16-17页
第二章 功率MOSFET的工作原理和重要参数第17-31页
    2.1 功率MOSFET的工作原理第17页
    2.2 U-MOSFET的仿真设计流程及工艺流程第17-20页
    2.3 U-MOSFET的重要参数第20-27页
        2.3.1 导通电阻第20-25页
        2.3.2 阈值电压第25-26页
        2.3.3 击穿电压第26-27页
    2.4 参数测试原理第27-30页
    2.5 本章小结第30-31页
第三章 60V U-MOSFET芯片失效分析第31-41页
    3.1 失效60V芯片流片测试数据分析第31-33页
    3.2 失效60V芯片失效理论分析第33-40页
        3.2.1 失效理论分析第33-36页
        3.2.2 失效模型外延电阻物理方程推导第36-38页
        3.2.3 仿真验证第38-40页
    3.3 本章小结第40-41页
第四章 60V U-MOSFET芯片再设计与优化第41-58页
    4.1 元胞的设计与优化第41-44页
    4.2 终端结构的设计与优化第44-53页
        4.2.1 多浮空场限环特性研究第45-49页
        4.2.2 场板特性研究第49-51页
        4.2.3 多场限环场板复合结构的60V终端优化第51-53页
    4.3 版图的绘制第53页
    4.4 流片测试数据分析第53-57页
        4.4.1 裸片测试数据分析第53-55页
        4.4.2 封装测试数据分析第55-57页
    4.5 本章小结第57-58页
结论及未来工作第58-59页
致谢第59-60页
参考文献第60-63页
攻读硕士学位期间发表的论文第63页

 
 
论文编号BS2695540,这篇论文共63
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