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HWCVD制备氢化非晶硅和氢化非晶氧化硅对晶体硅表面的钝化性能研究 |
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| 摘要 | 第3-4页 | | abstract | 第4-5页 | | 第一章 绪论 | 第8-18页 | | 1.1 晶体硅异质结太阳电池概述 | 第8-10页 | | 1.2 氢化非晶硅薄膜的研究现状 | 第10-15页 | | 1.2.1 非晶硅薄膜的简况 | 第10页 | | 1.2.2 氢化非晶硅的结构与性能 | 第10-14页 | | 1.2.3 氢化非晶硅薄膜的制备方法 | 第14-15页 | | 1.3 椭圆偏振光谱仪的研究现状 | 第15-17页 | | 1.3.1 椭偏仪的发展简况 | 第15-16页 | | 1.3.2 椭偏分析的特性 | 第16-17页 | | 1.4 本论文研究目的与主要内容 | 第17-18页 | | 第二章 氢化非晶硅薄膜的制备及表征方法 | 第18-26页 | | 2.1 引言 | 第18页 | | 2.2 实验过程与方法 | 第18-22页 | | 2.2.1 实验材料与式样 | 第18-19页 | | 2.2.2 实验设备 | 第19-20页 | | 2.2.3 样品准备与实验过程 | 第20-22页 | | 2.3 薄膜性能表征方法 | 第22-26页 | | 2.3.1 椭圆偏振光法 | 第22-24页 | | 2.3.2 傅立叶红外光谱法 | 第24-25页 | | 2.3.3 WCT-120少子寿命测试仪 | 第25-26页 | | 第三章 氢化非晶硅薄膜的Si-H组态及椭圆偏振光谱法研究 | 第26-52页 | | 3.1 引言 | 第26页 | | 3.2 a-Si:H薄膜微结构及其钝化机理分析 | 第26-44页 | | 3.2.1 沉积气压的影响 | 第26-33页 | | 3.2.2 热丝电流的影响 | 第33-36页 | | 3.2.3 衬底温度的影响 | 第36-41页 | | 3.2.4 H_2稀释比的影响 | 第41-44页 | | 3.2.5 a-Si:H薄膜分析小结 | 第44页 | | 3.3 a-SiO_x:H薄膜微结构及其钝化机理分析 | 第44-52页 | | 3.3.1 热丝电流的影响 | 第45-48页 | | 3.3.2 不同SiH_4流量的影响 | 第48-51页 | | 3.3.3 α-SiO_x:H薄膜分析总结 | 第51-52页 | | 第四章 总结与展望 | 第52-54页 | | 4.1 研究结论 | 第52-53页 | | 4.2 展望 | 第53-54页 | | 致谢 | 第54-55页 | | 参考文献 | 第55-58页 | | 攻读学位期间的研究成果 | 第58页 |
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论文编号BS3870040，这篇论文共58页
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