|
|
|
|
高功率微波作用下的低噪声放大器的损坏机理及其防护研究 |
| |
| 论文目录 |
| |
| 摘要 | 第5-6页 | | ABSTRACT | 第6页 | | 第一章 绪论 | 第12-20页 | | 1.1 研究背景与意义 | 第12-14页 | | 1.2 国内外发展现状 | 第14-18页 | | 1.2.1 高功率微波效应规律 | 第15-16页 | | 1.2.2 高功率微波防护研究 | 第16-18页 | | 1.3 论文的主要内容与章节安排 | 第18-20页 | | 第二章 高功率微波击穿的基础理论及低噪放的工作原理 | 第20-29页 | | 2.1 线性效应与非线性效应 | 第20-21页 | | 2.1.1 线性效应 | 第20页 | | 2.1.2 非线性效应 | 第20-21页 | | 2.2 半导体毁伤阈值 | 第21页 | | 2.2.1 高功率微波损伤阈值 | 第21页 | | 2.2.2 高功率微波干扰阈值 | 第21页 | | 2.3 半导体器件的损伤机理 | 第21-24页 | | 2.3.1 电迁移 | 第22页 | | 2.3.2 氧化层和介质击穿 | 第22-23页 | | 2.3.3 二次击穿 | 第23-24页 | | 2.4 器件热效应分析 | 第24-25页 | | 2.5 低噪声放大器设计 | 第25-27页 | | 低噪声放大器特点及指标 | 第25-27页 | | 2.6 ADS瞬态仿真和谐波仿真 | 第27-28页 | | 2.6.1 瞬态仿真 | 第27页 | | 2.6.2 谐波平衡仿真 | 第27-28页 | | 2.7 本章小结 | 第28-29页 | | 第三章 基于INFINEON BFP420 设计的低噪声放大器的高功率微波注入实验 | 第29-40页 | | 3.1 实验对象:Infineon BFP420 | 第29-32页 | | 3.2 HPM注入实验平台 | 第32-35页 | | 3.3 实验规范 | 第35-37页 | | 3.4 防护电路测试 | 第37-39页 | | 3.5 本章小结 | 第39-40页 | | 第四章 器件的电热模型与理论分析 | 第40-52页 | | 4.1 引言 | 第40页 | | 4.2 芯片型号 | 第40-41页 | | 4.3 芯片建模 | 第41-42页 | | 4.4 器件温度和阈值功率的理论分析 | 第42-46页 | | 4.4.1 重复脉冲作用下温度与时间关系 | 第42-43页 | | 4.4.2 热阻和热容的计算 | 第43-45页 | | 4.4.3 阈值功率计算 | 第45-46页 | | 4.5 器件参数对阈值功率的影响 | 第46-49页 | | 4.6 仿真结果与实验结果对比 | 第49-51页 | | 4.7 本章小结 | 第51-52页 | | 第五章 高功率微波防护电路的研究 | 第52-61页 | | 5.1 TVS二极管的基本特性 | 第52-55页 | | 5.2 TVS保护电路的仿真模型 | 第55-56页 | | 5.3 高功率微波注入TVS管的仿真结果 | 第56-58页 | | 5.4 TVS防护效果分析 | 第58-60页 | | 5.5 本章小结 | 第60-61页 | | 第六章 结束语 | 第61-64页 | | 6.1 论文工作总结 | 第61-62页 | | 6.2 本研究主要创新点 | 第62页 | | 6.3 后续研究工作 | 第62-64页 | | 参考文献 | 第64-67页 | | 致谢 | 第67-69页 | | 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第69页 |
|
|
|
|
论文编号BS4380690，这篇论文共69页
会员购买按0.35元/页下载，共需支付24.15元。 直接购买按0.5元/页下载，共需要支付34.5元 。 |
 |
 |
我还不是会员，注册会员！
会员下载更优惠!充值送钱！ |
我只需要这篇，无需注册！
直接网上支付，方便快捷！ |
|
|
|
版权申明：本目录由www.jylw.com网站制作，本站并未收录原文，如果您是作者，需要删除本篇论文目录请通过QQ或其它联系方式告知我们，我们承诺24小时内删除。 |
|
|
广告服务