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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--基于InGaAs/InP单光子雪崩二极管的红外单光子探测研究
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基于InGaAs/InP单光子雪崩二极管的红外单光子探测研究
 
     论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-12页
第1章 绪论第12-34页
   ·单光子量子保密通信第12-14页
   ·红外单光子探测器第14-22页
     ·基于光电倍增管的方法第14-15页
     ·电荷积分探测器第15-17页
     ·超导单光子探测器第17-21页
     ·基于单光子雪崩二极管的方法第21-22页
   ·SPAD红外单光子探测器的研究现状和问题第22-33页
     ·基于商用器件的研究现状第22-23页
     ·SPAD的设计和性能第23-24页
     ·后脉冲问题第24-25页
     ·电尖峰问题第25-33页
   ·本文研究的主要内容第33-34页
第2章 单光子雪崩二极管碰撞电离模型第34-50页
   ·Ⅲ-Ⅴ族半导体的碰撞电离第34-36页
   ·SPAD的碰撞电离模型第36-44页
     ·局域碰撞电离模型第37-40页
     ·历史相关的碰撞电离模型第40-44页
   ·两种模型的分析比较第44-48页
   ·本章小结第48-50页
第3章 单光子雪崩二极管的雪崩击穿第50-64页
   ·雪崩击穿电压第51-59页
     ·通过增益饱和现象确定雪崩击穿电压第51-56页
     ·影响雪崩击穿电压的因素第56-59页
   ·雪崩击穿概率第59-63页
   ·本章小结第63-64页
第4章 单光子雪崩二极管设计及性能研究第64-82页
   ·单光子雪崩二极管设计第64-66页
   ·单光子量子效率和暗计数第66-79页
     ·分析模型第68-71页
     ·数值分析第71-79页
   ·后脉冲现象第79-80页
   ·本章小结第80-82页
第5章 InGaAs/InP积分门模单光子探测器第82-96页
   ·无源抑制第82-83页
     ·无源抑制的原理第82页
     ·无源抑制的主要设计问题第82-83页
   ·有源抑制第83-85页
     ·有源抑制的原理第83-84页
     ·有源抑制的主要设计问题第84-85页
   ·门控抑制第85-86页
     ·门控抑制的原理第85-86页
     ·门控抑制的电尖峰问题第86页
   ·积分门模单光子探测器第86-94页
     ·积分门控模式单光子探测器的基本原理第87-90页
     ·积分门控模式单光子探测器的实验研究第90-94页
   ·本章小结第94-96页
结论第96-98页
参考文献第98-108页
攻读学位期间发表的学术论文第108-110页
致谢第110-111页
个人简历第111页

 
论文编号BS462641,这篇论文共111
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