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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--半导体芯片的静电防护电路及其失效分析
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半导体芯片的静电防护电路及其失效分析
 
     论文目录
 
中文摘要第1-4页
ABSTRACT第4-7页
第一章 绪论第7-14页
   ·引言第7页
   ·电子元件的可靠性第7页
   ·ESD 失效第7-8页
   ·我国电子行业ESD 防治技术现状第8-9页
   ·中美两国ESD 失效分析研究现状及比较第9-13页
     ·失效模式和失效机理第10-11页
     ·失效分析的研究对象第11-12页
     ·失效分析所采用的技术手段第12-13页
   ·课题内容、背景与意义第13-14页
第二章 集成电路静电放电的基本概念第14-24页
   ·静电放电的原因及其危害第14页
   ·静电放电的过程及其模型第14-21页
     ·人体模型(Human—Body Model,HBM)第14-17页
     ·机器放电模型(Machine Model, MM)第17-19页
     ·器件充电模型(Charged-Device Model CDM)第19-21页
     ·电场感应模型(Field-Induced Model,FIM)第21页
   ·静电放电的测试第21-24页
第三章ESD 的防护电路第24-39页
   ·介绍第24-25页
   ·片内ESD 保护结构中常用的器件第25-30页
     ·电阻第25-26页
     ·传统的二极管第26-27页
     ·双极型晶体管第27-28页
     ·NMOS 型晶体管第28页
     ·场管第28-29页
     ·可控硅SCR第29-30页
   ·片上ESD 保护结构的设计第30-35页
     ·输出保护第33-34页
     ·电源、地的保护第34页
     ·CMOS 内部电路的保护第34-35页
   ·版图的设计第35-36页
   ·ESD 工艺的相关性及其设计策略第36-39页
     ·掺杂浓度的影响第37页
     ·LDD 工艺的影响第37页
     ·栅氧化层的影响第37页
     ·孔和硅化物工艺的影响第37-39页
第四章 集成电路失效分析第39-53页
   ·绪论第39-40页
     ·引言第39页
     ·电子元件的可靠性第39页
     ·失效分析概述第39-40页
   ·集成电路失效分析的方法与技术第40-43页
     ·引言第40页
     ·光学显微分析第40-41页
     ·红外显微分析第41页
     ·声学显微分析第41页
     ·液晶热点检测技术第41页
     ·光辐射显微分析技术第41-42页
     ·微分析技术第42页
     ·电性测量第42页
     ·功能检测第42页
     ·微探针第42-43页
     ·化学刻蚀第43页
     ·离子刻蚀第43页
   ·失效分析中的化学方法第43-48页
     ·引言第43页
     ·封装的去除第43-45页
     ·去除passivation(钝化层)第45页
     ·芯片的剥层第45-48页
   ·失效分析的流程第48-53页
第五章 ESD 防护失效分析第53-61页
   ·ESD 失效分析第53-56页
   ·ESD 失效分析案例第56-61页
第六章 结论与意义第61-63页
参考文献第63-66页
致谢第66页

 
 
论文编号BS1577842,这篇论文共66
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