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基于smic 55nm eflash工艺应用于sim卡的ESD研究 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第3-4页 | | Abstract | 第4页 | | 第一章 绪论 | 第9-16页 | | 1.1 ESD简介 | 第9-15页 | | 1.1.1 ESD的常见模式和工业测试标准 | 第9-12页 | | 1.1.2 静电放电的测试[6]模式 | 第12-14页 | | 1.1.3 静电放电测试方式和ESD故障[7]判断 | 第14-15页 | | 1.2 SIM卡的引脚说明 | 第15页 | | 1.3 论文的内容安排 | 第15页 | | 1.4 本章小结 | 第15-16页 | | 第二章 ESD对比实验 | 第16-24页 | | 2.1 SIM卡ESD设计分析 | 第16-19页 | | 2.1.1 全芯片ESD设计 | 第16-17页 | | 2.1.2 传统的SIM卡的ESD保护架构 | 第17-19页 | | 2.2 SIM卡的ESD设计优化对比试验 | 第19-23页 | | 2.2.1 优化SIM卡ESD架构 | 第19-20页 | | 2.2.2 使用GC-NMOS提高ESD保护能力 | 第20页 | | 2.2.3 使用金属矽化物扩散分隔制程 | 第20-22页 | | 2.2.4 SIM卡ESD优化设计实验汇总 | 第22-23页 | | 2.3 本章小结 | 第23-24页 | | 第三章 实验结果与分析 | 第24-36页 | | 3.1 TLP测试结果与分析 | 第24-35页 | | 3.1.1 TLP测试简介 | 第24-26页 | | 3.1.2 IO脚使用GGNMOS | 第26-29页 | | 3.1.3 电源和地之间使用改进的RC Clamp | 第29-30页 | | 3.1.4 GCNMOS的TLP特性 | 第30-32页 | | 3.1.5 GGNMOS的漏端覆盖sab层的TLP特性 | 第32-35页 | | 3.2 本章小结 | 第35-36页 | | 第四章 SIM卡ESD方案 | 第36-41页 | | 4.1 SIM卡ESD方案的选择 | 第36-38页 | | 4.2 SIM卡ESD方案的延伸 | 第38-40页 | | 4.3 本章小结 | 第40-41页 | | 第五章 结束语 | 第41-43页 | | 5.1 主要工作与创新点 | 第41页 | | 5.2 后续研究工作 | 第41-42页 | | 5.3 本章小结 | 第42-43页 | | 参考文献 | 第43-46页 | | 附录1 | 第46-53页 | | 致谢 | 第53-54页 | | 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第54-56页 |
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论文编号BS2861492，这篇论文共56页
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