|
|
|
|
基于40nm工艺的CMOS带隙基准源研究与设计 |
| |
| 论文目录 |
| |
| 摘要 | 第1-6页 | | ABSTRACT | 第6-10页 | | 第一章 绪论 | 第10-14页 | | ·研究意义 | 第10页 | | ·带隙基准源研究历史及现状 | 第10-12页 | | ·研究内容 | 第12页 | | ·论文组织结构 | 第12-14页 | | 第二章 基准源概述 | 第14-18页 | | ·基准源种类介绍 | 第14-16页 | | ·性能指标 | 第16-17页 | | ·精度 | 第16页 | | ·温度系数 | 第16页 | | ·输出噪声 | 第16-17页 | | ·功耗 | 第17页 | | ·电源电压抑制比(PSRR) | 第17页 | | ·本章小结 | 第17-18页 | | 第三章 CMOS带隙基准源理论分析 | 第18-32页 | | ·带隙基准电压源的基本理论 | 第18-21页 | | ·负温度系数 | 第18-19页 | | ·温度系数 | 第19-20页 | | ·带隙基准电压的产生及由来 | 第20-21页 | | ·传统带隙基准电压源 | 第21-25页 | | ·Wildar带隙基准源 | 第21-22页 | | ·Kujik带隙基源 | 第22-23页 | | ·Brokaw带隙基准源 | 第23-24页 | | ·CMOS带隙基准源 | 第24-25页 | | ·高阶温度补偿方法 | 第25-31页 | | ·利用电阻的温度特性 | 第25-27页 | | ·VBE线性化法 | 第27-28页 | | ·指数曲率补偿法 | 第28-30页 | | ·性能比较 | 第30-31页 | | ·本章小结 | 第31-32页 | | 第四章 40nm工艺特性及带隙基准源设计 | 第32-53页 | | ·40nm工艺介绍 | 第32-34页 | | ·浅槽隔离 | 第32-33页 | | ·阱临近效应 | 第33页 | | ·OD长度效应 | 第33-34页 | | ·OD间距效应 | 第34页 | | ·Poly间距效应 | 第34页 | | ·带隙基准电压源设计 | 第34-52页 | | ·带隙基准电路总体组成结构 | 第34-35页 | | ·带隙核心电路设计 | 第35-37页 | | ·运算放大器设计 | 第37-42页 | | ·启动电路的设计 | 第42-43页 | | ·带隙基准电压源整体电路 | 第43-48页 | | ·高阶补偿带隙基准源设计 | 第48-52页 | | ·本章小结 | 第52-53页 | | 第五章 版图设计 | 第53-62页 | | ·设计规则 | 第53-54页 | | ·模拟电路版图设计 | 第54-57页 | | ·匹配性设计 | 第54-55页 | | ·耦合 | 第55-56页 | | ·寄生效应 | 第56页 | | ·可靠性设计 | 第56-57页 | | ·带隙基准源版图设计 | 第57-60页 | | ·三极管的版图 | 第57-58页 | | ·电阻的版图 | 第58-59页 | | ·运放的版图 | 第59页 | | ·带隙基准电路整体版图 | 第59-60页 | | ·带隙基准源后仿真 | 第60-61页 | | ·本章小结 | 第61-62页 | | 第六章 基于斩波稳定的带隙基准电路 | 第62-68页 | | ·运算放大器输入失调仿真 | 第62-63页 | | ·斩波稳定基本原理 | 第63-64页 | | ·频域分析 | 第63页 | | ·时域分析 | 第63-64页 | | ·斩波稳定带隙基准整体电路 | 第64-65页 | | ·斩波稳定带隙基准电路仿真结果 | 第65-67页 | | ·本章小结 | 第67-68页 | | 总结 | 第68-69页 | | 参考文献 | 第69-72页 | | 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第72-73页 | | 致谢 | 第73-74页 | | 附件 | 第74页 |
|
|
|
|
论文编号BS1799493，这篇论文共74页
会员购买按0.35元/页下载，共需支付25.9元。 直接购买按0.5元/页下载，共需要支付37元 。 |
 |
 |
我还不是会员，注册会员！
会员下载更优惠!充值送钱！ |
我只需要这篇，无需注册！
直接网上支付，方便快捷！ |
|
|
|
版权申明：本目录由www.jylw.com网站制作，本站并未收录原文，如果您是作者，需要删除本篇论文目录请通过QQ或其它联系方式告知我们，我们承诺24小时内删除。 |
|
|
广告服务