| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 发光二极管（LED）的发展 | 第16页 |
| 1.2 LED的工作原理 | 第16-17页 |
| 1.3 LED的优势 | 第17-18页 |
| 1.4 紫外LED及其应用 | 第18页 |
| 1.5 紫外LED国内外研究现状 | 第18-19页 |
| 1.6 论文内容及结构 | 第19-22页 |
| 第二章 GaN基半导体材料简介 | 第22-30页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 GaN基半导体材料的性质 | 第22-25页 |
| 2.2.1 晶体结构 | 第22-23页 |
| 2.2.2 能带结构 | 第23页 |
| 2.2.3 物理及化学性质 | 第23-25页 |
| 2.2.4 电学性质 | 第25页 |
| 2.2.5 光学性质 | 第25页 |
| 2.3 GaN基半导体材料的缺陷和极化效应 | 第25-28页 |
| 2.3.1 GaN基半导体材料的缺陷 | 第25-26页 |
| 2.3.2 GaN的极化效应 | 第26-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 实验材料生长及表征技术 | 第30-38页 |
| 3.1 MOCVD系统 | 第30-32页 |
| 3.1.1 MOCVD简介 | 第30页 |
| 3.1.2 MOCVD气路介绍 | 第30-31页 |
| 3.1.3 MOCVD生长机理 | 第31-32页 |
| 3.1.4 MOCVD外延生长GaN基材料工艺流程 | 第32页 |
| 3.2 外延片表征方法 | 第32-36页 |
| 3.2.1 X射线衍射(XRD) | 第32-34页 |
| 3.2.2 光致发光测试系统（PL） | 第34-35页 |
| 3.2.3 电致发光测试（EL） | 第35页 |
| 3.2.4 原子力显微镜（AFM） | 第35-36页 |
| 3.2.5 扫描电子显微镜（SEM） | 第36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 365 nm波段GaN基紫外LED的多量子阱结构调整实验方案 | 第38-74页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 实验准备 | 第38-40页 |
| 4.3 InGaN/AlGaN量子阱阱宽调整第一批次实验 | 第40-49页 |
| 4.3.1 实验样品调整序列 | 第40页 |
| 4.3.2 电致发光（EL）测试结果与分析 | 第40-43页 |
| 4.3.3 光致发光（PL）谱测试结果与分析 | 第43-44页 |
| 4.3.4 X射线衍射仪（XRD）测试结果与分析 | 第44-49页 |
| 4.4 InGaN/AlGaN量子阱垒层Al掺量调整第一批次实验 | 第49-56页 |
| 4.4.1 实验样品调整序列 | 第49-50页 |
| 4.4.2 EL测试结果与分析 | 第50-51页 |
| 4.4.3 PL谱测试结果与分析 | 第51-52页 |
| 4.4.4 XRD测试结果与分析 | 第52-56页 |
| 4.5 InGaN/AlGaN量子阱阱宽调整第二批次实验 | 第56-63页 |
| 4.5.1 实验样品调整 | 第56页 |
| 4.5.2 EL测试结果与分析 | 第56-57页 |
| 4.5.3 PL谱测试结果与分析 | 第57-58页 |
| 4.5.4 XRD测试结果与分析 | 第58-62页 |
| 4.5.5 扫描电子显微镜（SEM）测试结果与分析 | 第62页 |
| 4.5.6 原子力显微镜（AFM）测试结果与分析 | 第62-63页 |
| 4.6 InGaN/AlGaN量子阱垒层Al掺量调整第二批次实验 | 第63-72页 |
| 4.6.1 实验样品调整 | 第63-64页 |
| 4.6.2 EL测试结果与分析 | 第64-65页 |
| 4.6.3 PL谱测试结果与分析 | 第65-66页 |
| 4.6.4 XRD测试与分析 | 第66-70页 |
| 4.6.5 SEM测试与分析 | 第70-71页 |
| 4.6.6 AFM测试与分析 | 第71-72页 |
| 4.7 本章小结 | 第72-74页 |
| 第五章 总结与展望 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 作者简介 | 第82-83页 |
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