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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--有机/无机半导体异质结构的光电性能研究
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有机/无机半导体异质结构的光电性能研究
 
     论文目录
 
摘要第4-5页
Abstract第5-6页
目录第7-10页
第一章 绪论第10-24页
    1.1 半导体体材料简介第10-14页
        1.1.1 无机半导体材料第10-12页
        1.1.2 有机半导体材料第12-14页
    1.2 半导体异质结第14-17页
        1.2.1 半导体异质结研究背景第14-15页
        1.2.2 半导体异质结的组成和生长第15-16页
        1.2.3 半导体异质结的光电特性第16-17页
    1.3 有机/无机半导体异质结构第17-19页
        1.3.1 有机半导体异质结构研究背景第17页
        1.3.2 有机半导体载流子传输机制第17-18页
        1.3.3 有机/无机半导体异质结类型第18-19页
    1.4 本论文研究的目的和意义第19-21页
    参考文献第21-24页
第二章 实验方法与原理第24-36页
    2.1 湿化学法合成纳米晶第24-25页
        2.1.1 化学溶液沉淀法第24页
        2.1.2 溶胶-凝胶法第24页
        2.1.3 水热法第24-25页
    2.2 磁控溅射技术及原理第25页
    2.3 材料分析技术第25-28页
    2.4 半导体异质结分析第28-33页
        2.4.1 异质结的光伏特性和光电流第28-30页
        2.4.2 半导体异质结的能带图第30-33页
    2.5 半导体材料功函数第33-35页
    参考文献第35-36页
第三章 制备基于聚芴和ZnO纳米柱的平面异质结光电器件第36-52页
    3.1 引言第36页
    3.2 ZnO纳米柱制备与表征第36-39页
        3.2.1 实验原料与仪器第36页
        3.2.2 ZnO纳米柱阵列的制备方法及流程第36-38页
        3.2.3 ZnO纳米柱阵列的表征第38-39页
    3.3 有机/无机半导体异质结制备第39-41页
        3.3.1 有机/无机半导体异质结的表征第40-41页
    3.4 有机/无机半导体异质结测试与分析第41-48页
        3.4.1 光电性能第41-47页
        3.4.2 电学性能第47-48页
    3.5 本章小结第48-50页
    参考文献第50-52页
第四章 溶液法制备基于聚芴和ZnO纳米晶的异质结光电器件第52-65页
    4.1 引言第52页
    4.2 ZnO纳米晶制备与表征第52-54页
        4.2.1 实验原料第52页
        4.2.2 低温湿化学法制备ZnO纳米晶第52-53页
        4.2.3 ZnO纳米晶的表征第53-54页
    4.3 异质结的制备与表征第54-57页
        4.3.1 异质结的制备第54-55页
        4.3.2 异质结的表征第55-57页
    4.4 IPHJ异质结的测试与分析第57-61页
        4.4.1 光学性能第57-60页
        4.4.2 电学性能第60-61页
    4.5 NPHJ异质结的测试与分析第61页
    4.6 BHJ异质结的测试与分析第61-62页
    4.7 本章小结第62-63页
    参考文献第63-65页
第五章 有机/无机半导体异质结紫外光电探测器第65-70页
    5.1 引言第65页
    5.2 有机/无机半导体异质结紫外光电探测器制备与表征第65-66页
    5.3 有机/无机半导体异质结紫外探测器性能测试第66-67页
    5.4 光电探测器应用第67-68页
    5.5 本章小结第68-69页
    参考文献第69-70页
第6章 总结与展望第70-72页
    6.1 论文总结第70页
    6.2 研究展望第70-72页
致谢第72-73页
硕士期间学术成果第73页

 
 
论文编号BS2664643,这篇论文共73
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