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InN薄膜的制备及三阶非线性光学性质研究 |
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论文目录 |
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摘要 | 第6-7页 | Abstract | 第7页 | 第1章 绪论 | 第8-11页 | 1.1 InN材料的基本性质 | 第8-9页 | 1.2 InN材料的研究现状 | 第9-10页 | 1.3 本文研究内容 | 第10页 | 1.4 本章小结 | 第10-11页 | 第2章 InN薄膜的制备及表征方法 | 第11-19页 | 2.1 InN薄膜的制备 | 第11-15页 | 2.1.1 磁控溅射技术 | 第11页 | 2.1.2 磁控溅射系统简介 | 第11-12页 | 2.1.3 反应磁控溅射沉积InN薄膜的原理 | 第12-13页 | 2.1.4 影响InN薄膜质量的生长因素 | 第13页 | 2.1.5 制备InN薄膜的具体操作 | 第13-14页 | 2.1.6 实验主要工艺参数 | 第14-15页 | 2.2 InN薄膜的表征方法 | 第15-17页 | 2.2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第15-16页 | 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第16-17页 | 2.2.3 吸收光谱分析 | 第17页 | 2.3 基本研究路线 | 第17-18页 | 2.4 本章小结 | 第18-19页 | 第3章 工艺参数对InN薄膜的影响 | 第19-34页 | 3.1 溅射气压对InN薄膜结构与光学带隙的影响 | 第19-22页 | 3.1.1 溅射气压对InN薄膜结晶取向的影响 | 第19-20页 | 3.1.2 溅射气压对InN薄膜表面形貌的影响 | 第20-21页 | 3.1.3 溅射气压对InN薄膜光学带隙的影响 | 第21-22页 | 3.2 氮气流量比率对InN薄膜结构与光学带隙的影响 | 第22-26页 | 3.2.1 氮气流量比率对InN薄膜结晶取向的影响 | 第22-24页 | 3.2.2 氮气流量比率对InN薄膜形貌的影响 | 第24-25页 | 3.2.3 氮气流量比率对InN薄膜光学带隙的影响 | 第25-26页 | 3.3 氮气退火对InN薄膜结构与光学带隙的影响 | 第26-33页 | 3.3.1 氮气退火对InN薄膜结晶取向的影响 | 第26-29页 | 3.3.2 氮气退火对InN薄膜表面形貌的影响 | 第29-31页 | 3.3.3 氮气退火对InN薄膜光学带隙的影响 | 第31-33页 | 3.4 本章小结 | 第33-34页 | 第4章 InN薄膜的三阶非线性光学性质 | 第34-43页 | 4.1 Z扫描技术理论 | 第34-38页 | 4.1.1 闭孔透射Z扫描原理 | 第34-35页 | 4.1.2 只考虑非线性折射时的理论及计算 | 第35-37页 | 4.1.3 考虑非线性吸收时的理论及计算 | 第37-38页 | 4.2 InN薄膜的非线性光学特性 | 第38-42页 | 4.2.1 实验样品及实验装置 | 第38-39页 | 4.2.2 实验结果及分析 | 第39-42页 | 4.3 本章小结 | 第42-43页 | 总结与展望 | 第43-44页 | 参考文献 | 第44-48页 | 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第48-50页 | 致谢 | 第50页 |
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