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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--InN薄膜的制备及三阶非线性光学性质研究
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InN薄膜的制备及三阶非线性光学性质研究
 
     论文目录
 
摘要第6-7页
Abstract第7页
第1章 绪论第8-11页
    1.1 InN材料的基本性质第8-9页
    1.2 InN材料的研究现状第9-10页
    1.3 本文研究内容第10页
    1.4 本章小结第10-11页
第2章 InN薄膜的制备及表征方法第11-19页
    2.1 InN薄膜的制备第11-15页
        2.1.1 磁控溅射技术第11页
        2.1.2 磁控溅射系统简介第11-12页
        2.1.3 反应磁控溅射沉积InN薄膜的原理第12-13页
        2.1.4 影响InN薄膜质量的生长因素第13页
        2.1.5 制备InN薄膜的具体操作第13-14页
        2.1.6 实验主要工艺参数第14-15页
    2.2 InN薄膜的表征方法第15-17页
        2.2.1 X射线衍射仪(XRD)第15-16页
        2.2.2 扫描电子显微镜(SEM)第16-17页
        2.2.3 吸收光谱分析第17页
    2.3 基本研究路线第17-18页
    2.4 本章小结第18-19页
第3章 工艺参数对InN薄膜的影响第19-34页
    3.1 溅射气压对InN薄膜结构与光学带隙的影响第19-22页
        3.1.1 溅射气压对InN薄膜结晶取向的影响第19-20页
        3.1.2 溅射气压对InN薄膜表面形貌的影响第20-21页
        3.1.3 溅射气压对InN薄膜光学带隙的影响第21-22页
    3.2 氮气流量比率对InN薄膜结构与光学带隙的影响第22-26页
        3.2.1 氮气流量比率对InN薄膜结晶取向的影响第22-24页
        3.2.2 氮气流量比率对InN薄膜形貌的影响第24-25页
        3.2.3 氮气流量比率对InN薄膜光学带隙的影响第25-26页
    3.3 氮气退火对InN薄膜结构与光学带隙的影响第26-33页
        3.3.1 氮气退火对InN薄膜结晶取向的影响第26-29页
        3.3.2 氮气退火对InN薄膜表面形貌的影响第29-31页
        3.3.3 氮气退火对InN薄膜光学带隙的影响第31-33页
    3.4 本章小结第33-34页
第4章 InN薄膜的三阶非线性光学性质第34-43页
    4.1 Z扫描技术理论第34-38页
        4.1.1 闭孔透射Z扫描原理第34-35页
        4.1.2 只考虑非线性折射时的理论及计算第35-37页
        4.1.3 考虑非线性吸收时的理论及计算第37-38页
    4.2 InN薄膜的非线性光学特性第38-42页
        4.2.1 实验样品及实验装置第38-39页
        4.2.2 实验结果及分析第39-42页
    4.3 本章小结第42-43页
总结与展望第43-44页
参考文献第44-48页
攻读硕士学位期间所发表的学术论文第48-50页
致谢第50页

 
 
论文编号BS3086043,这篇论文共50
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