| 摘要 | 第5-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第13-38页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 半导体存储器的分类 | 第13-15页 |
| 1.3 非易失性存储器的概述 | 第15-22页 |
| 1.3.1 非易失性存储器的发展 | 第15-17页 |
| 1.3.2 Flash存储器的基本概念与原理 | 第17-20页 |
| 1.3.3 Flash存储器的可靠性分析 | 第20-22页 |
| 1.4 几种新型的非易失性存储器 | 第22-31页 |
| 1.4.1 铁电存储器 | 第22-24页 |
| 1.4.2 磁性存储器 | 第24-25页 |
| 1.4.3 相变存储器 | 第25-27页 |
| 1.4.4 固体电解质存储器和阻变存储器 | 第27-28页 |
| 1.4.5 电荷俘获存储器 | 第28-31页 |
| 1.5 电荷俘获存储器中high-k材料的应用 | 第31-32页 |
| 1.6 本论文工作的意义、目的和内容 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-38页 |
| 第二章 薄膜结构的制备方式和存储器表征方法 | 第38-47页 |
| 2.1 常用的薄膜制备技术 | 第38页 |
| 2.2 原子层沉积技术 | 第38-41页 |
| 2.3 磁控溅射系统 | 第41-43页 |
| 2.4 性能表征和热处理 | 第43-44页 |
| 2.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第三章 TiO_2-Al_2O_3复合电介质材料在电荷俘获存储器中的应用研究 | 第47-59页 |
| 3.1 引言 | 第47-48页 |
| 3.2 原型器件的制备和微结构表征 | 第48-50页 |
| 3.3 TAO电荷俘获层薄膜的XPS分析 | 第50-51页 |
| 3.4 存储器件的电学性能表征 | 第51-55页 |
| 3.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第四章 纳米叠层和复合材料摩尔比对TiO_2-Al_2O_3型存储器性能的影响 | 第59-70页 |
| 4.1 引言 | 第59-60页 |
| 4.2 纳米叠层结构的TiO_2-Al_2O_3型存储器件 | 第60-65页 |
| 4.2.1 纳米叠层结构TiO_2-Al_2O_3型存储器件的制备 | 第60页 |
| 4.2.2 HRTEM表征 | 第60-61页 |
| 4.2.3 纳米叠层结构TiO_2-Al_2O_3型存储器件的电学性能 | 第61-65页 |
| 4.3 TiO_2-Al_2O_3复合电介质的组分摩尔比对存储性能的影响 | 第65-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第五章 结论与展望 | 第70-73页 |
| 5.1 结论 | 第70-71页 |
| 5.2 展望 | 第71-73页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
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