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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--Ge基nMOSFET器件与工艺技术研究
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Ge基nMOSFET器件与工艺技术研究
 
     论文目录
 
摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
符号对照表第16-18页
缩略语对照表第18-22页
第一章 绪论第22-32页
    1.1 Ge基n MOSFET器件的研究进展第25-27页
    1.2 Ge基n MOSFET源漏费米能级解钉扎研究进展第27-30页
    1.3 本论文要解决的问题第30-32页
第二章 Ge基n MOSFET器件的沟道工程第32-52页
    2.1 锗的清洗第32-33页
    2.2 锗的刻蚀与腐蚀第33-36页
    2.3 通过湿法腐蚀+两次自限制氧化法减薄锗并降低锗表面粗糙度第36-39页
    2.4 n-Ge MOS电容研制第39-48页
    2.5 p-Ge MOS电容研制第48-50页
    2.6 本章小节第50-52页
第三章 金属/n-Ge接触及基于金属/n-Ge接触的GeOI上自对准n MOSFETs器件第52-70页
    3.1 n-Ge的注入、激活及Ni/n-Ge欧姆接触第52-58页
    3.2 Ti/n-Ge欧姆接触第58-62页
    3.3 源漏自对准GeOI上n MOSFET器件研制工艺第62-66页
    3.4 源漏自对准GeOI上n MOSFET器件的电学特性分析第66-69页
    3.5 本章小结第69-70页
第四章 Al/ZnO/n-Ge欧姆接触及Ar等离子体处理对其能带和材料特性的影响第70-80页
    4.1 MIS接触第70-72页
    4.2 Ar等离子体处理ZnO/n-Ge对ZnO/n-Ge样品材料特性的影响第72-75页
    4.3 Ar等离子体处理ZnO对Al/ZnO/n-Ge电学特性的影响第75-79页
    4.4 本章小结第79-80页
第五章 Al/TiO_2/n-Ge欧姆接触工艺优化及可靠性研究第80-106页
    5.1 通过超低温淀积生长TiO_2来提高Al/TiO_2/n-Ge接触电流第80-85页
    5.2 通过PEALD淀积TiO_2改善Al/n-Ge接触特性第85-89页
    5.3 硫化铵溶液处理对Al/TiO_2/n-Ge接触特性的影响第89-95页
    5.4 插入单层石墨烯对Al/TiO_2/n-Ge热稳定性的影响第95-102页
    5.5 Al/TiO_2/n-Ge MIS接触的Co~(60)γ射线总剂量辐照效应第102-105页
    5.6 本章小结第105-106页
第六章 总结与展望第106-108页
    6.1 论文总结第106-107页
    6.2 未来的工作第107-108页
参考文献第108-116页
致谢第116-118页
作者简介第118-120页

 
 
论文编号BS4145193,这篇论文共120
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