logo
教育论文中心  教育论文中心   广告服务  广告服务   论文搜索  论文搜索   论文发表  论文发表   会员专区  会员专区   在线购卡   在线购卡   服务帮助  服务帮助   联系我们  联系我们   网站地图  网站地图   硕士论文  会员专区   博士论文
当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--半绝缘SiC单晶材料的电学参数测试研究
博硕论文分类列表
工业技术 交通运输 农业科学
生物科学 航空航天 历史地理
医学卫生 语言文字 环境科学
综合图书 政治法律 社会科学
马列主义、毛泽东思想 艺术
数理科学和化学 文学
天文学、地理科学 军事
文化科学、教育体育 经济
自然科学总论 哲学
查看更多分类
 
论文搜索
 
 
相关论文
10MHz~4GHz低相噪微波频
非均匀滤波器组的研究
面向对象软件测试技术研究
SiC半导体材料及其器件应用
基于FSM测试用例生成和测试
SiC陶瓷与Ti合金Ag-Cu
生后早期大鼠视皮层锥体神经元
从海运与提单比较分析看海运
绝缘InP深能级缺陷、电学
绝缘SiC电学参数测量技
含能金属有机骨架转变
二维硅烯电学性能以及金属纳米线
基于VME星载上行数据 数据模
气相渗硅法制备SiC/SiC复合
SiC生长工艺优化及V掺杂
固体绝缘绝缘寿命特性及其复合绝
半环上
Ti3SiC2-SiC复合材料及
Ca3Co4O9热电材料制备及
阳极键合用RAS系微晶玻璃电学/
基于LabVIEW电学参数自动
小功率LED灯电学参数测量问题研
基于任务语言测试在大学英语测试
如何选择电学仪器和实验电路
初中物理电学知识梳理
初中物理电学综合问题难点突破
巧用信息迁移,解一道电学预赛题
用“问题归类法”进行初中电学复习
如何解答中考电学计算题
初中物理电学部分解题误区及纠错方
设计电学实验测量力学量
初中物理电学问题程序化解法谈
中子辐照6H-SiC晶体电学
新型硅基薄膜材料转移技术研究
XLPE电缆主绝缘状态检测方法
6H-SiC和4H-SiC
二维功能性纳米材料电学行为调制
激光作用下纳米SiC颗粒原位生
铽—钛酸铜钙和铌—钛酸钡陶瓷
Ca9ZnLi(PO4)7陶瓷
全氢化和部分氢化锗纳米条带电学
金属氧化物薄膜电学特性及其在薄
表面电荷转移掺杂对一维Ⅱ-Ⅵ半导
黑磷电学性能调控及其逻辑器件
SiC及C/SiC复合材料合成
无限微热源法合成SiC须与颗
SiC,SiCw/SiC材料
热老化植物油纸绝缘放电特性及其对
高电压冷绝缘高温超导电缆绝缘
中学生电学实验能力现状及影响因素
浅议电学信号与系统
激光辐照几种非金属氧化物改变
 
科目列表
市场营销 管理理论 人力资源
电子商务 社会实践 先进教育
伦理道德 艺术理论 环境保护
农村研究 交通相关 烟草论文
电子电气 财务分析 融资决策
电影艺术 国学论文 材料工程
语文论文 数学论文 英语论文
政治论文 物理论文 化学论文
生物论文 美术论文 历史论文
地理论文 信息技术 班主任
音乐论文 体育论文 劳技论文
自然论文 德育管理 农村教育
素质教育 三个代表 旅游管理
国际贸易 哲学论文 工商管理
证券金融 社会学 审计论文
会计论文 建筑论文 电力论文
水利论文 园林景观 农林学
中医学 西医学 心理学
公安论文 法学法律 思想汇报
法律文书 总结报告 演讲稿
物业管理 经济学 论文指导
计算机 护理论文 社会调查
军事论文 化工论文 财政税收
保险论文 物流论文 语言教育
教育教学 给水排水 暖通论文
结构论文 综合类别 硕士论文
博士论文    
 
 
半绝缘SiC单晶材料的电学参数测试研究
 
     论文目录
 
摘要第1-4页
Abstract第4-7页
第一章 绪论第7-11页
   ·研究背景及其发展过程第7-9页
     ·研究背景第7-8页
     ·发展进程第8-9页
   ·国内外研究现状及应用前景第9-10页
   ·论文结构第10-11页
第二章 SiC 材料概述第11-19页
   ·SiC 晶体结构第11-12页
   ·SiC 材料性质第12-15页
     ·SiC 的电学性质第12-14页
     ·碳化硅材料的光学性质第14-15页
   ·SiC 材料中的缺陷第15-16页
     ·SiC 单晶中主要的缺陷及形成原因第15-16页
     ·SiC 单晶的缺陷分析技术第16页
   ·SiC 材料的应用第16-19页
第三章 半绝缘碳化硅单晶材料的制备方法第19-25页
   ·SiC 材料的单晶生长第19-22页
     ·Acheson 法第19-20页
     ·Lely 法第20页
     ·籽晶升华法第20-21页
     ·外延生长法第21-22页
   ·半绝缘SiC 单晶材料的制备方法第22-23页
   ·晶体生长中的主要缺陷第23-25页
     ·微管道第23-24页
     ·多晶形问题第24-25页
第四章 半绝缘SiC 单晶电学特性的常规测试及分析第25-41页
   ·半导体微区测试方法的研究第25-31页
     ·无接触法第26页
     ·接触测量法第26-28页
     ·微区电阻测试结果的表示方法第28-29页
     ·微区薄层电阻测量所用方法第29-30页
     ·微区测试的新进展第30-31页
   ·霍尔测试原理与方法第31-33页
     ·测试电路第31页
     ·测试原理第31-33页
       ·霍尔效应原理第32页
       ·载流子浓度第32页
       ·电阻率和迁移率第32-33页
   ·霍尔测试法第33-36页
     ·实验材料及设备第33-34页
     ·样品表面预处理第34页
     ·欧姆接触制备工艺第34-35页
     ·I-V 测试第35-36页
   ·碳化硅单晶载流子浓度的研究第36-38页
   ·碳化硅单晶电阻率的研究第38-41页
     ·光照条件和电阻率的关系实验第38-39页
     ·电阻率和温度的关系第39-40页
     ·电阻率的不均匀性第40-41页
第五章 非接触电阻率面分布(COREMA)测试研究第41-65页
   ·COREMA 测试技术第41-46页
     ·COREMA 的特点及主要用途第41页
     ·COREMA 的测试结构第41-42页
     ·COREMA 的用途及其原理第42-46页
       ·电阻测量第42-44页
       ·测迁移率第44-45页
       ·测量fermi 能级第45-46页
   ·COREMA 设备信息介绍第46-48页
     ·COREMA - WT (Wafer Topography)(晶片照片)第46-47页
     ·COREMA-RM(Resistivity, Mobility)(电阻,迁移率)第47页
     ·COREMA-VT(Variable Temperature)(温度的变化)第47-48页
   ·无损测量半绝缘碳化硅电阻率分布形貌图研究第48-53页
     ·晶体生长工艺第48-49页
     ·碳化硅晶体的化学分析第49-50页
     ·电阻率分布形貌图绘制及电阻率分布第50-52页
     ·结果分析第52-53页
   ·半绝缘砷化镓、碳化硅晶片电子迁移率的无接触测量第53-58页
     ·引言第53-54页
     ·实验步骤第54-56页
     ·结果讨论及展望第56-58页
   ·电阻率和温度的关系探讨第58-65页
第六章 总结与展望第65-67页
致谢第67-68页
参考文献第68-72页
研究成果第72-73页

 
 
论文编号BS597843,这篇论文共73
会员购买按0.35元/页下载,共需支付25.55元。        直接购买按0.5元/页下载,共需要支付36.5元 。
我还不是会员,注册会员
会员下载更优惠!充值送钱!
我只需要这篇,无需注册!
直接网上支付,方便快捷!
 您可能感兴趣的论文
版权申明:本目录由www.jylw.com网站制作,本站并未收录原文,如果您是作者,需要删除本篇论文目录请通过QQ或其它联系方式告知我们,我们承诺24小时内删除。
 
 
| 会员专区 | 在线购卡 | 广告服务 | 网站地图 |
版权所有 教育论文中心 Copyright(C) All Rights Reserved
联系方式: QQ:277865656 或写信给我