| 符号表 | 第1-13页 |
| 摘要 | 第13-17页 |
| ABSTRACT | 第17-22页 |
| 第一章 引言 | 第22-45页 |
| ·概述 | 第22-24页 |
| ·P(VDF-TrFE)的性质及应用 | 第24-27页 |
| ·P(VDF-TrFE)的结构性质 | 第24-25页 |
| ·P(VDF-TrFE)的压电、铁电特性及应用 | 第25-27页 |
| ·OTFT及其栅绝缘层材料的研究进展 | 第27-35页 |
| ·MOSFET简介 | 第27-29页 |
| ·OTFT的结构 | 第29-31页 |
| ·OTFT中栅绝缘层材料及其研究进展 | 第31-35页 |
| ·超临界二氧化碳 | 第35-36页 |
| ·课题的选取及研究方法 | 第36-40页 |
| 本章参考文献 | 第40-45页 |
| 第二章 椭圆偏振光谱仪 | 第45-64页 |
| ·概述 | 第45页 |
| ·偏振光 | 第45-50页 |
| ·光在界面的反射和折射及椭偏仪的基本方程 | 第50-55页 |
| ·固体的光学特性 | 第50-51页 |
| ·光在各向同性的介质界面的反射和折射 | 第51-54页 |
| ·椭偏仪的基本方程 | 第54-55页 |
| ·椭偏仪的组件和构造 | 第55-60页 |
| ·椭偏仪的组件 | 第55-57页 |
| ·椭偏仪的构造 | 第57-60页 |
| ·光学模型的建立 | 第60-63页 |
| ·建立光学模型的程序 | 第60-61页 |
| ·光学模型的优化 | 第61-62页 |
| ·非均质材料和有效中值近似 | 第62-63页 |
| 本章参考文献 | 第63-64页 |
| 第三章 P(VDF-TrFE)薄膜的光学性质及退火对光学性质的影响 | 第64-86页 |
| ·概述 | 第64页 |
| ·实验步骤 | 第64-66页 |
| ·衬底处理 | 第64-65页 |
| ·P(VDF-TrFE)薄膜的制备 | 第65页 |
| ·P(VDF-TrFE)薄膜的测量及退火处理 | 第65-66页 |
| ·P(VDF-TrFE)薄膜的光学性质 | 第66-71页 |
| ·P(VDF-TrFE)薄膜光学模型的建立 | 第66-70页 |
| ·衬底对P(VDF-TrFE)薄膜光学性质的影响 | 第70-71页 |
| ·表面形貌对光学性质的影响 | 第71页 |
| ·P(VDF-TrFE)旋镀膜的各向异性 | 第71-77页 |
| ·P(VDF-TrFE)薄膜的折射率对膜厚度的依赖性 | 第77-79页 |
| ·退火对P(VDF-TrFE)薄膜光学性质的影响 | 第79-84页 |
| ·退火温度对薄膜光学性质的影响 | 第79-80页 |
| ·退火时间对薄膜光学性质的影响 | 第80-84页 |
| 本章参考文献 | 第84-86页 |
| 第四章 P(VDF-TrFE)薄膜的电学性质及退火对电学性质的影响 | 第86-101页 |
| ·概述 | 第86-87页 |
| ·MOS电容器的电学测量 | 第87-93页 |
| ·氧化层电荷和界面陷阱 | 第87-89页 |
| ·C-V曲线 | 第89-91页 |
| ·电导法求界面陷阱电荷密度 | 第91-93页 |
| ·实验步骤 | 第93页 |
| ·P(VDF-TrFE)薄膜的C-V和G(ω)-V特性 | 第93-98页 |
| ·C-V特性及介电常数K和D_(it)的测量 | 第93-95页 |
| ·薄膜厚度和退火对介电常数K的影响 | 第95-98页 |
| ·P(VDF-TrFE)薄膜的漏电流密度 | 第98-100页 |
| 本章参考文献 | 第100-101页 |
| 第五章 P(VDF-TrFE)在有机薄膜场效应晶体管中的应用 | 第101-119页 |
| ·概述 | 第101页 |
| ·OTFT的工作原理及性能表征 | 第101-108页 |
| ·有机半导体材料 | 第101-102页 |
| ·OTFT的工作原理 | 第102-106页 |
| ·OTFT性能表征 | 第106-108页 |
| ·实验步骤 | 第108-110页 |
| ·OTFT的性能测试 | 第110-117页 |
| ·P(VDF-TrFE)作绝缘层OTFT的性能 | 第110-113页 |
| ·低K栅极介质材料对OTFT性能的影响 | 第113-117页 |
| 本章参考文献 | 第117-119页 |
| 第六章 超临界二氧化碳对SiO_2的蚀刻及P(VDF-TrFE)薄膜光学和电学性质的影响 | 第119-131页 |
| ·概述 | 第119页 |
| ·实验步骤 | 第119-121页 |
| ·SiO2薄膜在scCO_2中的蚀刻 | 第121-125页 |
| ·浓度和温度对蚀刻速度的影响 | 第121页 |
| ·蚀刻对SiO_2电学性质的影响 | 第121-125页 |
| ·scCO_2对P(VDF-TrFE)光学和电学性质的影响 | 第125-130页 |
| ·scCO_2对P(VDF-TrFE)折射率的影响 | 第125-126页 |
| ·scCO_2对P(VDF-TrFE)电学性质的影响 | 第126-130页 |
| 本章参考文献 | 第130-131页 |
| 第七章 结论 | 第131-133页 |
| 博士期间发表论文目录 | 第133-134页 |
| 致谢 | 第134-135页 |
| 附录 | 第135-147页 |
| 学位论文评阅及答辩情祝表 | 第147页 |
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