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论文目录
摘要
第1-10页
ABSTRACT
第10-12页
主要符号表
第12-13页
第一章 引言
第13-20页
·Ⅲ-Ⅴ族氮化物薄膜概述
第13-14页
·InN薄膜的研究进展
第14-15页
·InN薄膜的性质
第15-19页
·结构性质
第15-17页
·光学性质、电学性质
第17-19页
·研究背景和主要内容
第19-20页
第二章 InN薄膜的制备方法及表征方法
第20-31页
·InN薄膜的制备方法
第20-22页
·溅射镀膜法
第20-21页
·脉冲激光沉积
第21页
·分子束外延
第21-22页
·氢化物气相外延
第22页
·InN薄膜性质的表征方法
第22-31页
·晶体结构分析
第23-24页
·薄膜表面形貌分析
第24-26页
·薄膜光学、电学性质的测试分析
第26-31页
第三章 MOCVD技术的概述及制备InN过程
第31-38页
·MOCVD技术原理
第31-32页
·MOCVD系统
第32-34页
·MOCVD系统的特点
第34-35页
·薄膜的制备
第35-38页
·实验准备
第35-36页
·薄膜的制备过程
第36-38页
第四章 MOCVD法制备InN薄膜的研究
第38-49页
·不同生长温度对InN薄膜性质的影响
第38-42页
·XRD分析
第39-40页
·SEM分析
第40-41页
·AFM分析
第41-42页
·不同Ⅴ-Ⅲ族比对InN薄膜性质的影响
第42-46页
·XRD分析
第42-44页
·SEM分析
第44-45页
·AFM分析
第45-46页
·InN薄膜光学、电学性质的分析
第46-49页
·光致发光谱(PL谱)分析
第46-47页
·InN薄膜的透过率分析
第47-48页
·霍尔测试分析
第48-49页
第五章 结论
第49-50页
参考文献
第50-53页
致谢
第53-54页
学位论文评阅及答辩情况表
第54页
论文编号
BS1752444
,这篇论文共
54
页
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