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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--InN的制备及其性质研究
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InN的制备及其性质研究
 
     论文目录
 
摘要第1-10页
ABSTRACT第10-12页
主要符号表第12-13页
第一章 引言第13-20页
   ·Ⅲ-Ⅴ族氮化物薄膜概述第13-14页
   ·InN薄膜的研究进展第14-15页
   ·InN薄膜的性质第15-19页
     ·结构性质第15-17页
     ·光学性质、电学性质第17-19页
   ·研究背景和主要内容第19-20页
第二章 InN薄膜的制备方法及表征方法第20-31页
   ·InN薄膜的制备方法第20-22页
     ·溅射镀膜法第20-21页
     ·脉冲激光沉积第21页
     ·分子束外延第21-22页
     ·氢化物气相外延第22页
   ·InN薄膜性质的表征方法第22-31页
     ·晶体结构分析第23-24页
     ·薄膜表面形貌分析第24-26页
     ·薄膜光学、电学性质的测试分析第26-31页
第三章 MOCVD技术的概述及制备InN过程第31-38页
   ·MOCVD技术原理第31-32页
   ·MOCVD系统第32-34页
   ·MOCVD系统的特点第34-35页
   ·薄膜的制备第35-38页
     ·实验准备第35-36页
     ·薄膜的制备过程第36-38页
第四章 MOCVD法制备InN薄膜的研究第38-49页
   ·不同生长温度对InN薄膜性质的影响第38-42页
     ·XRD分析第39-40页
     ·SEM分析第40-41页
     ·AFM分析第41-42页
   ·不同Ⅴ-Ⅲ族比对InN薄膜性质的影响第42-46页
     ·XRD分析第42-44页
     ·SEM分析第44-45页
     ·AFM分析第45-46页
   ·InN薄膜光学、电学性质的分析第46-49页
     ·光致发光谱(PL谱)分析第46-47页
     ·InN薄膜的透过率分析第47-48页
     ·霍尔测试分析第48-49页
第五章 结论第49-50页
参考文献第50-53页
致谢第53-54页
学位论文评阅及答辩情况表第54页

 
 
论文编号BS1752444,这篇论文共54
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