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结构论文

基于标准0.35μm工艺的SiGe:C HBT器件结构及应用研究

摘要第3-4页
abstract第4页
注释表第8-10页
第1章 绪论第10-15页
    1.1 研究的背景及意义第10-12页
    1.2 国内外研究现状第12-13页
    1.3 本论文的主要工作第13-14页
    1.4 论文的结构安排第14-15页
第2章 SiGe掺C材料的特性第15-24页
    2.1 C的掺入率第15-17页
    2.2 C的掺入对于应变的影响第17页
    2.3 C的掺入对于B扩散的抑制第17-22页
        2.3.1 C组分的抑制机制第17-18页
        2.3.2 掺C器件的B抑制实验对比第18-20页
        2.3.3 掺C器件的直流特性第20-22页
    2.4 碳原子对于SiGe合金的能带补偿第22-23页
    2.5 本章小结第23-24页
第3章 SiGe:C HBT的基本特性第24-38页
    3.1 器件的能带变化第24-25页
    3.2 器件的直流特性第25-28页
        3.2.1 基区的电流密度模型第26页
        3.2.2 集电区的电流密度模型第26-27页
        3.2.3 SiGeC HBT电流增益第27-28页
    3.3 频率特性第28-30页
        3.3.1 特征频率第28-30页
        3.3.2 最高振荡频率第30页
    3.4 晶体管的功率特性第30-33页
        3.4.1 注入效应第30-31页
        3.4.2 发射结电流集边效应第31-32页
        3.4.3 基区宽度调制效应与基区扩展效应第32-33页
    3.5 器件的击穿特性第33-35页
        3.5.1 电场分布与掺杂浓度的关系第33-34页
        3.5.2 SiGe器件中击穿的发生第34-35页
    3.6 HBT的制备工艺第35-37页
        3.6.1 台面结构第35-36页
        3.6.2 平面结构第36-37页
    3.7 本章小结第37-38页
第4章 SiGe:C HBT结构设计与优化第38-60页
    4.1 Ge掺入浓度与组分分布的设计第39-42页
        4.1.1 Ge组分掺入量对于器件性能的影响第40-41页
        4.1.2 Ge组分分布对于器件击穿性能的影响第41-42页
    4.2 参数的设计第42-47页
        4.2.1 基区掺杂的设计第42-43页
        4.2.2 基区厚度的设计第43-44页
        4.2.3 发射区的设计第44-45页
        4.2.4 集电区的设计第45-47页
    4.3 器件的特性第47-49页
        4.3.1 器件的电流增益特性和频率特性第47-48页
        4.3.2 器件的输出特性第48页
        4.3.3 器件的击穿特性第48-49页
        4.3.4 器件的性能对比第49页
    4.4 两种改善击穿特性结构的研究第49-59页
        4.4.1 超结结构的原理第49-50页
        4.4.2 SiGeC器件超结结构的应用第50-52页
        4.4.3 一种浮空埋层器件的提出第52-53页
        4.4.4 浮空埋层器件原理与结构第53-54页
        4.4.5 浮空埋层器件的特性对比分析第54-59页
    4.5 本章小结第59-60页
第5章 器件制备与流片测试验证第60-66页
    5.1 0.35μm SiGeC BiCMOS工艺流程设计第60-61页
    5.2 版图设计第61-62页
    5.3 流片结果验证第62-65页
        5.3.1 器件的电流增益测试图第62-63页
        5.3.2 器件特征频率第63-64页
        5.3.3 器件击穿特性测试图第64-65页
    5.4 本章小结第65-66页
第6章 工作总结与展望第66-68页
    6.1 工作总结第66-67页
    6.2 未来展望第67-68页
致谢第68-69页
参考文献第69-73页
攻读硕士学位期间从事的科研工作及取得的成果第73页
SiGe:CHBT论文 电流增益值论文 特征频率论文
论文编号BS3163194,这篇论文共73
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