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分子束外延InGaN合金及其光电导行为研究
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分子束外延InGaN合金及其光电导行为研究
论文目录
摘要
第4-5页
ABSTRACT
第5-6页
主要符号表
第14-15页
1 绪论
第15-38页
1.1 氮化物的基本物理性质
第16-24页
1.2 氮化物的应用前景
第24-31页
1.3 国内外研究进展
第31-35页
1.4 本文主要研究思路
第35-38页
2 分子束外延及表征技术
第38-60页
2.1 分子束外延系统
第38-45页
2.2 氮化物的分子束外延原理
第45-50页
2.3 测试表征技术
第50-60页
3 InGaN的分子束外延生长
第60-75页
3.1 引言
第60-61页
3.2 InGaN分子束外延生长原理
第61-62页
3.3 InGaN薄膜的分子束外延生长
第62-74页
3.4 本章小结
第74-75页
4 InGaN薄膜的液滴诱导外延
第75-89页
4.1 引言
第75页
4.2 InGaN薄膜的液滴诱导外延原理
第75-83页
4.3 InGaN表面微结构的RDS分析
第83-88页
4.4 本章小结
第88-89页
5 光照下InGaN薄膜的输运性质
第89-102页
5.1 引言
第89页
5.2 氮化物薄膜的光电导特性
第89-94页
5.3 InGaN材料的光电导特性
第94-100页
5.4 本章小结
第100-102页
6 结论与展望
第102-104页
6.1 结论
第102-103页
6.2 创新点
第103页
6.3 展望
第103-104页
参考文献
第104-115页
攻读博士学位期间科研项目及科研成果
第115-118页
致谢
第118-121页
作者简介
第121页
论文编号
BS4016544
,这篇论文共
121
页
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42.35
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