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Pb基二维材料设计及量子性质调控
 
     论文目录
 
摘要第6-8页
Abstract第8-9页
第一章 绪论第10-18页
    1.1 引言第10-12页
    1.2 研究现状第12-15页
    1.3 研究内容第15-18页
第二章 理论基础第18-28页
    2.1 密度泛函理论方法第18-22页
        2.1.1 Thomas-Fermi模型第18-20页
        2.1.2 Hohenberg-Kohn定理第20页
        2.1.3 Kohn-Sham方程第20-22页
    2.2 近似密度泛函第22-23页
        2.2.1 局域密度近似(Local Density Approximation)第22-23页
        2.2.2 广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation)第23页
    2.3 平面波基组和赝势第23-24页
    2.4 Z_2拓扑不变量与Wilson loop方法第24-28页
第三章 氢化二维薄膜BiPb的量子自旋霍尔效应研究第28-38页
    3.1 氢化BiPb的能带结构与稳定性第28-30页
    3.2 氢化BiPb的Rashba自旋劈裂性质研究第30-31页
    3.3 氢化BiPb的量子拓扑性质调控第31-37页
    3.4 本章小结第37-38页
第四章 卤化二维薄膜BiPb的量子自旋霍尔效应研究第38-46页
    4.1 卤化BiPb薄膜的电子性质研究第38-40页
    4.2 卤化BiPb的拓扑性质研究第40-44页
    4.3 应力及BN衬底对BiPb薄膜性质的影响第44-45页
    4.4 本章小结第45-46页
第五章 二维薄膜PbTe的拓扑晶体绝缘体性质研究第46-56页
    5.1 二维薄膜PbTe的结构稳定性第46-47页
    5.2 二维薄膜PbTe的电子能带结构研究第47-50页
    5.3 二维薄膜PbTe的拓扑晶体绝缘体性质第50-52页
    5.4 双轴及单轴应力对二维薄膜PbTe的性质调控第52-53页
    5.5 半导体衬底NaI对PbTe拓扑晶体绝缘体性质的影响第53-54页
    5.6 本章小结第54-56页
第六章 结论与展望第56-58页
参考文献第58-68页
致谢第68-70页
附录第70-71页

 
 
论文编号BS4174494,这篇论文共71
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